Досліджено питання створення гетеропереходу алмазних (АП) та алмазоподібних плівок (АПП)/кремній, який має випрямні властивості та підвищену фоточутливість в ультрафіолетовій області випромінювання. Визначено метод осадження та технологічні режими, що дозволяє отримувати плівку АП або АПП з керованими властивостями. Встановлено взаємозв'язок структури та фазового складу АП та АПП з умовами осадження. Визначено залежність між вмістом азоту в газовій суміші та електрофізичними, фотоелектричними властивостями гетеропереходу АПП/Si. На базі фотоємнісного ефекту розраховано параметри структури АПП/Si. З використанням АПП/Si розроблено новий тип фотоелектричного датчика, що працює в широкому спектральному діапазоні (200 - 1000 нм). Досліджено деградацію параметрів сонячних елементів із захисним покриттям із АПП під дією потоків високоенергетичних протонів і електронів. Доведено, що АПП, одержані плазмо-хімічним осадженням за високих напруг автозміщення (-300 В), забезпечують високу стабільність і радіаційну стійкість характеристик сонячних елементів, шо дозволяє використовувати дані АПП як захисні й просвітлювальні покриття фотоелектричних перетворювачів космічного призначення.

  Скачати повний текст