1. |
Корольов О.М. Шуми в підсилювачах з MESFET- та HEMT-структурами і методи їх зниження: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / О.М. Корольов ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 19 с. — укp.Досліджено шумові харктеристики сучасних надвисокочастотних польових транзисторів (MESFET, HEMT, PHEMT) та з'ясовано шляхи їх оптимального використання у підсилювальних пристроях дециметрового діапазону довжин електромагнітних хвиль. Під час моделювання транзисторів як шумовий параметр введено оптимальний декремент джерела сигналу. Знайдено новий механізм зростання шумової температури - укрите розузгодження. З застосуванням ефекту "електронного охолодження" розроблено дієвий метод забезпечення стійкості. Експериментально підтверджено прогноз про можливість зниження шумової температури підсилювачів до рівня 10 K і менше, що раніше досягалося лише у приладах з кріогенним охолодженням. Розроблено ряд підсилювачів на MESFET і псевдоморфних HEMT, які введено до складу високочутливих радіоастрономічних приймальних систем, що значною мірою забезпечило рекордність характеристик мікрохвильових приймачів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З841-017.12 + Шифр НБУВ: РА334732
Рубрики:
|