Пошуковий запит: (<.>U=з843.39$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
|
|
| | |
|
1. |
Калинюк М.В. Вплив розмірних ефектів та технологічних факторів на кінетичні властивості плівок телуриду свинцю: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / М.В. Калинюк ; Прикарп. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2000. — 19 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225,022 + В379.226,022 + з843.395-06 Шифр НБУВ: РА310836 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
2. |
Кідалов Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отримані методом радикало-променевої епітаксії: Автореф. дис... д-ра фіз.- мат. наук: 01.04.10 / Валерій Віталійович Кідалов ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. — О., 2006. — 35 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 в641.8,022 + з843.395-06 Шифр НБУВ: РА342787
Рубрики:
|
|
| | |
|
3. |
Савчук В.К. Дослідження фізико-технологічних процесів імпульсного лазерного напилення та модифікації властивостей тонких плівок багатокомпонентних металооксидів та телуридів кадмію-ртуті: Автореф. дис...канд. техн. наук: 05.27.06 / В.К. Савчук ; Держ. ун-т "Львів. політехніка". — Львів, 2000. — 20 с.: рис. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395-060.7 Шифр НБУВ: РА309457 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
4. |
Охремчук Є.В. Електрохімічне одержання напівпровідникових плівок CdS і CdTe: автореф. дис... канд. техн. наук: 05.17.03 / Є.В. Охремчук ; Нац. техн. ун-т "Харк. політехн. ін-т". — Х., 2008. — 20 с. — укp.Розроблено теоретичні основи та технологічні засади електрохімічного одержання тонких полікристалічних плівок напівпровідникових сполук CdS і CdTe. Досліджено нові напрямки електрохімічного синтезу тонких плівок CdS і CdTe з електролітів на основі неводневого органічного апротонного розчинника, зокрема, диметилсульфоксиду (ДМСО). Визначено оптимальні параметри електролізу та фотоелектричні показники одержаних плівок. Запропоновано новий метод електрохімічного одержання CdTe, який базується на пошаровому осадженні окремих компонентів (кадмію та телуру) сполуки з ДМСО розчинів, високу ефективність якого обгрунтовано теоретично та підтверджено практично. Відзначено, що синтезовані таким способом, плівки CdTe мають високий ступінь стехіометричності та фазової однорідності. Запропоновано та досліджено використання нестаціонарного (імпульсного) режиму електролізу, в результаті якого одержано рівномірні дрібнокристалічні гладкі покриття кадмію. (порошкоподібних, гладких і блискучих). Запропоновано принципову технологічну схему та визначено оптимальні технологічні режими процесу електрохімічного синтезу напівпровідникових полікристалічних плівок CdS, CdTe і системи CdS / CdTe. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + З843.395 + Шифр НБУВ: РА360670
Рубрики:
|
|
| | |
|
5. |
Верига А. Д. Інтегральний автодинний сенсор магнітного резонансу зі стоковим детектуванням: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Д. Верига ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. — Чернівці, 2011. — 20 с.: рис. — укp.Розроблено конструкції та технології виготовлення автодинного сенсора дециметрового діапазону частот, придатного для проведення вимірювань кінетичних параметрів у широкому температурному діапазоні тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів у дециметровому діапазоні частот. Досягнено підвищення достовірності й ефективності вимірювань в широкому температурному діапазоні кінетичних характеристик тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів давачів інфрачервоного діапазону. Проведено дослідження впливу схемотехнічних факторів на ефективність дефектування та можливість покращання характеристик сенсора, зокрема співідношення сигнал / шум і коефіцієнта заповнення котушки. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + З852.395 Шифр НБУВ: РА380766 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
6. |
Парфенюк О.А. Компенсаційні та нерівноважні процеси у телуриді кадмію і твердих розчинах на його основі: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.А. Парфенюк ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2007. — 36 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З843.395-06 + Шифр НБУВ: РА352102
Рубрики:
|
|
| | |
|
7. |
Литвин О.С. Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках Аsup3/supВsup5/sup і Аsup2/supВsup6/sup та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О.С. Литвин ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 20 с. — укp.Встановлено зв'язок наноморфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних структур, з їх внутрішньою кристалічною структурою, рівнем механічних напруг у системах як цілому та процесами на межі поділу фаз, спричиненими високотемпературними відпалами. Встановлено зв'язок морфологічних і структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром дибориду титану від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. З використанням комплексу методів рентгеноструктурного аналізу й атомно-силової мікроскопії доведено пряму залежність морфологічних характеристик поверхні полікристалічних плівок від процесів структурної релаксації та перебудови всередині плівки, а також на межі розділу плівка - підкладка. Результати досліджень розвивають модельні уявлення про характер і походження структурних нерівноважностей багатошарових структур і процеси структурної релаксації в них, викликані зовнішніми впливами. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В372.23,022 + з843.39 Шифр НБУВ: РА315412 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
8. |
Давиденко С.М. Отримання структур з квантовими ямами, гетероструктур та тонких плівок напівпровідників Аsup4/sup Вsup6/sup та дослідження їх властивостей: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.М. Давиденко ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001 — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.21,022 + З843.395 Шифр НБУВ: РА316515 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
9. |
Романюк В.Р. Поведінка домішок з незаповненими 3d і 4f-оболонками в селеніді ртуті і твердих розчинах на їх основі: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.Р. Романюк ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223в,022 + В379.222в,022 + З843.393 + Шифр НБУВ: РА363308
Рубрики:
|
|
| | |
|
10. |
Рощина Розробка фізико-хімічного методу одержання і дослідження характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних А2В6: автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ніна Миколаївна Рощина ; Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2008. — 19 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 Шифр НБУВ: РА356516
Рубрики:
|
|
| | |
|
11. |
Черпак Технологія мікроелектронних електрогенераційних пристоїв на основі органічних напівпровідникових бар'єрних структур: автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / Владислав Володимирович Черпак ; Національний ун-т "Львівська політехніка". — Л., 2009. — 36 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + З852 Шифр НБУВ: РА365723
Рубрики:
|