Вперше теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено умови стабільно стійкого режиму процесу функціонального електроосадження металів. Запропоновано узагальнений механізм електродних процесів на основі дослідження макрокінетики розряду аргентуму(I) та ауруму(I),(III), з їх координаційних сполук, з використанням теорії визначення ЕАК. Одержано нові дані про кореляційний взаємозв'язок між електрохімічною кінетикою та електроосадженням. Встановлено умови найбільш сприятливої енергетики росту граней кристалів для формування строго певної структури металу для формування покриттів зі стабільним набором характеристик. Сформульовано та здійснено на практиці принципи спрямованого підбору компонентів електроліту та режиму електроосадження.

  Скачати повний текст

Запропоновано методику розрахунку теплових полів у транзисторі, яка базується на спільному розв'язанні рівнянь фізико-топологічної моделі та рівняння теплопровідності в двовимірному наближенні. Розроблено математичні моделі й алгоритми, що дозволяють побудувати розподіл температури вздовж транзисторної структури, виявити зони перегріву й уточнити параметри моделі на етапі проектування. Досліджено методику врахування ефекту саморозігріву в транзисторі за рахунок введення в схемну модель додаткових баластних опорів і залежного джерела. Встановлено залежність коефіцієнта зворотного зв'язку від номіналів баластних опорів у базовій і емітерній областях транзистора та визначено рекомендації щодо вибору оптимальних значень баластних опорів. Встановлено характер впливу ефекту саморозігріву на вихідні та частотні характеристики. Розроблено та запатентовано спосіб розрахунку теплового опору субмікронного транзистора за його тепловою моделлю. Встановлено залежність величини теплового опору кристала транзистора від форми та геометричних розмірів кристала та затвора транзистора, режимів роботи транзистора, а також від кількості шарів легування та степеня легування підзатворної області.

  Скачати повний текст

Запропоновано метод і процедуру модифікації автоматної моделі КА з метою покращання показників спостереження й управління мереж клітинних автоматів (МКА) в процесі ДЕ. Визначено клас легкотестованих МКА, що мають відмінні та характеристичні символи, циклічні відмінні та характеристичні послідовності, необхідні та достатні умови існування даних послідовностей. Розроблено процедури синтезу тестів для МКА на підставі використання тестового графа (ТГ) КА та проведено порівняльний аналіз даної процедури з методом генерації тестів, заснованих на використанні ЦВП.

  Скачати повний текст

Удосконалено аналітичну модель широкосмугового радіоінтерфейсу з кодовим розділенням каналів на основі дослідження властивостей використаних ансамблів кодових послідовностей та запропоновано співвідношення для розрахунку вкладу кожної кодової послідовності ансамблю у загальне співвідношення сигнал-шум радіоканалу, що, на основі одержаних залежностей, дозволяє його підвищити та сформувати такий робочий ансамбль послідовностей, який покращить енергетичні характеристики радіоінтерфейсу та мобільної радіосистеми в цілому. Вперше розроблено аналітичну модель для оптимізації просторової конфігурації та параметрів широкосмугових радіосистем безпровідного доступу на основі співвідношень, що враховують взаємні інтерференційні шумові впливи передавачів у радіоканалах. Удосконалено метод розрахунку одноканальних взаємоінтерференційних впливів.

  Скачати повний текст

Розв'язано важливу науково-технічну задачу підвищення ефективності систем автоматизації проектування топології мікроелектронних пристроїв (МЕП) на основі створення ефективних математичних методів, алгоритмів і програмного забезпечення для процедур синтезу багатошарових цифрових систем на кристалах з урахуванням вимог завадостійкості, точності, обчислювальних і часових обмежень. Сформульовано загальну задачу синтезу топології МЕП, яка об'єднує відомі часткові задачі та враховує різнорідні критерії оптимізації. Розроблено систему правил для задачі проектування топології дво- та багатошарових каналів, яка зменшує область пошуку допустимих розв'язків. Удосконалено методи усіченого перебору варіантів на основі методу перепризначень для розв'язання задач синтезу топології багатошарових МЕП з меншою часовою складністю за відомі методи (ВМ). Визначено умови проектування топології планарної схеми в одношаровому каналі для одержання більш ефективних розв'язків за ВМ.

  Скачати повний текст

Розроблено метод розподіленого розв'язування систем лінійних алгебраичних рівнянь (СЛАР) великої розмірності з блоково-стрічковими матрицями, який використовує ієрархічну організацію обчислювальної мережі. Запропоновано методи секціонування стрічкових матриць великої розмірності у разі розподіленого розв'язування СЛАР, які здатні здійснити розбиття матриць на секції, що дає змогу виконувати їх розв'язування розподілено. Розроблено адаптивний метод ієрархічно-розподільного розв'язування таких рівнянь, який здатний здійснити оптимальний поділ завдання на підзавдання, що мінімізує сумарний час простою системи розподілення обчислень і збільшує її продуктивність. Визначено архітектуру системи теплового проектування електронних пристроїв, яка містить підсистему розподілення обчислень з багаторівневою ієрархічною структурою та властивостями адаптивності.

  Скачати повний текст

Встановлено залежності електричного опору мікроконтактних з'єднань (МКЗ) інтегральних схем (ІС) від їх конструктивних параметрів і технологічних способів виготовлення. Проведено дослідження математичних моделей опорів зварного накладного МКЗ мікродроту та плівкового провідника, жорсткого стовпчикового МКЗ і перехідної мікродротяної ланки між внутрішнім і зовнішнім виводом ІС. Із урахуванням одержаних результатів визначено складові опорів, характеристики перехідної ланки та розробити конструктивно-технологічні методи підвищенння електропровідності МКЗ. Запропоновано нові способи вимірювання опору МКЗ, в яких усунено вплив перехідних контактних опорів вимірювальних зондів на результат вимірювання. Розроблено нові способи виготовлення низькоомних елементів МКЗ.

  Скачати повний текст

Розроблено методи та засоби для реалізації інформаційних технологій (ІТ) аналізу та синтезу мікроелектромеханічних систем (МЕМС) на системному, схемотехнічному та компонентному рівнях. Розроблено архітектуру ІТ аналізу та синтезу МЕМС, в якій використано побудований програмно-технічний засіб для багаторівневі розробки, базові структури й елементи та нові інформаційні моделі. Показано, що запропонована архітектура ІТ аналізу та синтезу МЕМС дозволяє підвищити рівень автоматизації даних процедур. Створено методи для системного рівня ІТ аналізу та синтезу МЕМС, які вирішують задачі структурного та параметричного синтезу на базі побудови дерева альтернативних рішень, базових структур та елементів, набору продукційних правил і теорії кольорових мереж Петрі. Побудовано метод автоматизованого синтезу VHDL-AMS-моделей базових пристрої в МЕМС для схемотехнічного рівня на підставі методу електричних аналогій, систем звичайних дифереціальних рівнянь і рівнянь в частинних похідних. Зазначено, що послідовність і кількість використання диференціальних рівнянь визначається фізичними принципами роботи елемента МЕМС і кількістю перетворень енергії. Розроблено методи автоматизованого синтезу моделей компонентного рівня на базі рівнянь в частинних похідних з наступним їх розв'язанням за допомогою методу скінчених різниць або скінчених елементів. Побудовано тривимірні моделі технологічних процесів виготовлення МЕМС, які дозволяють дослідити вплив технологічних параметрів на вихідні параметри інтегрального пристрою. Зроблено промислове впровадження розроблених методів і засобів, які використано для аналізу та синтезу нових типів МЕМС з покращаними технічними характеристиками.

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень дії потужних імпульсних електромагнітних полів на сучасні мікросхеми. Експериментальні дослідження проведено у хвилевідному тракті для мікроконтролерів, мікросхем пам'яті, аналого-цифрових і цифрово-аналогових перетворювачів (АЦП і ЦАП), мікроскладань приймачів і передавачів. За результатами експериментальних досліджень визначено межові значення збоїв і катастрофічних відмов мікросхем, одержано статистичні дані щодо виходу з ладу мікроструктурних елементів, зроблено рекомендації щодо підвищення стійкості мікросхем до даного виду впливу. Розроблено числово-аналітичну модель взаємодії імпульсних електромагнітних полів із мікроструктурними елементами кристалу сучасних мікросхем, що містить розв'язання дифракційної задачі для мікросхеми у хвилеводі та електротеплову модель кристалу сучасних мікросхем з багатошаровою металізацією.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Установлено теоретично й експериментально підтверджену залежність характеристик точності пластин від величини та ступеня нерівномірності натягу відрізного кола. Розроблено й експериментально доведено вірогідність математичної моделі нерівномірно натягнутого відрізного круга, у межах якої введено кількісну характеристику ступеня нерівномірності натягу та вирішено задачу плоского напружено-деформованого стану для кільцевої пластини за її нерівномірного натягу. Одержано точні рішення задачі про прогин рівномірно натягнутого відрізного круга під впливом осьового навантаження різного виду, що дозволило одержати вираз прогину відрізаних пластин як функції від жорсткості відрізного круга. Запропоновано наближене рішення задачі про жорсткість відрізного круга за нерівномірного натягу та надано оцінку точності цього рішення. Розроблено математичну модел врахування сил різання, на підставі якої запропоновано методику вибору межово допустимої величини натягу. Одержано співвідношення, що взаємозв'язує частоти власних коливань нерівномірно натягнутого круга з відповідними частотами як коливань рівномірно натягнутого круга, на підставі якого розроблено методики виміру нерівномірності натягу та її усування.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розраховано та досліджено модель мікропотужної оптопари ДВЧ діапазону у вигляді світлодіоду з підвищеним коефіцієнтом корисної дії випромінювання та фотоприймача у складі p - i - n фотодіоду, який інтегровано в базу високочастотного n - p - n транзистора, що дозволяє підвищити їх частотні характеристики, розширити дані про конструкції та використати їх для цифрової інтегральної схеми (ІС) з оптичними зв'язками. Розроблено модель адаптивної мікропотужної оптоелектронної схеми логіки NАБО-НІ, що дає можливість одержати нові відомості про процеси її перемикання та досягнути їй параметрів вентилів відомих типів логіки.

  Скачати повний текст

Наведено результати проведених експериментально-розрахункових досліджень щодо встановлення закономірностей статичного та динамічного стану блоків радіоелектронної апаратури та їх складових з урахуванням впливу конструктивно-технологічних і експлуатаційних факторів. Розроблено методичні засади здійснення експериментальних досліджень на базі відповідних засобів їх доробки та процесу тензометрування. Установлено закономірності впливу термоударів, атмосферного тиску та монтажних напружень на статичний деформований стан плат. Показано, що рівень деформування мікромодулів і резисторів визначається їх зв'язком з об'єднавчою платою, який суттєво залежить від жорсткості виводів. Запропоновано нову конструкцію виводів і методологію встановлення допустимого утворення жолобоподібних форм об'єднавчих плат. Розроблено нові конструкції пристроїв для кріплення плат, які дозволяюь уникнути встановленої нерівномірності вібронавантажень у існуючих пристроїв й одержано достовірні дані про вібраційні характеристики об'єктів досліджень у широкому діапазоні коливань. Представлено результати експериметальних досліджень, проведених з метою вивчення впливу конструктивно-технологічних факторів на збудження коливань об'єднавчих плат з використанням розроблених оригінальних способів механічного зв'язку плат і різноманітних способів їх кріплень у напрямних корпусу блоку РЕА. Розроблено відповідні розрахункові моделі та проведено їх обгрунтування. Запропоновано розрахункові методики визначення параметрів демпферів сухого тертя для кріплення об'єднавчих плат, а також спосіб віброізоляції блоків РЕА з використанням таких демпферів.

  Скачати повний текст

Розроблено теоретичні засади побудови та проектування реконфігурованих пристроїв на базі програмованих логічних інтегральних схем (ПЛІС). Створено нові формалізовані методики побудови та динамічної перебудови архітектури та структури цифрових пристроїв з високим ступенем реконфігурованості з урахуванням властивостей реалізованих алгоритмів, логічних, конструктивних і технологічних особливостей ПЛІС, а також інструментальних засобів їх проектування. Розроблено теорію адаптивних логічних мереж, призначених для розв'язання широкого класу задач шляхом безпосередньої структурної реалізації алгоритмів обробки та прямого відображення вхідних даних у вихідні шляхом функціонального та структурного налаштування універсальних компонентів мережі. Розроблено алгоритми синтезу адаптивних логічних мереж на задані класи задач. Запропоновано методику проектування засобів обчислювальної техніки з використанням стандартизованих САПР ПЛІС, на базі якої розроблено структуру реконфігурованого процесора, що реалізує конвеєрний/паралельний принцип обробки даних, з відкритою бібліотекою файлів конфігурації для базових блоків, зокрема, межового пристрою, суматра Хемінга, пристроїв сортування, медіанних фільтрів, пристроїв множення матриць. Розглянуто питання організації обчислювального процесу в системах зі спеціалізованою та проблемно-орієнтованою конфігурацією.

  Скачати повний текст

Розроблено високочутливі інтегральні мікроелектронні сенсори на кремнієвих структурах з діелектричною ізоляццією (КСДІ) та створено на їх базі нові вимірювальні перетворювачі неелектричних величин з широкими фунціональними можливостями. На підставі результатів досліджень розроблено нову інтегральну багатосенсорну КСДІ, вивчено особливості її функціонування та метрологічні характеристики (МХ). Розвинуто методи моделювання МХ сенсорів. Використано регресійний аналіз та алгоритми нейронних мереж щодо високоточної апроксимації МХ.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами, гамма-квантами, альфа-частинками) на механічні й електричні властивості напівпровідників і прикладних шаруватих структур на їх основі. Для вивчення формування тонких шарів силіцидів металів наноелектроніки використано Резерфордівське зворотне розсіювання. Розроблено систему вимірювання модуля пружності кремнію у процесі опромінення. Створено пристрій для дослідження зразків під час опромінення в горизонтальному каналі ядерного реактора. Досліджено механічні напруження в іонно-легованих шарах кремнію, виявлено його розпухання під час імплантації та виникнення дислокаційних систем поблизу межі легована-нелегована область. Розроблено практичні рекомендації для підвищення експлуатаційних характеристик і радіаційної стійкості приладних структур мікроелектроніки. Встановлено, що процес термоелектротренування суттєво підвищує радіаційну стійкість елементів.

  Скачати повний текст

Досліджено питання функціональної верифікації складних проектованих цифрових систем на кристалах. Розроблено структурну модель і метод спільної верифікації апаратних і програмних складових системи на кристалі. Встановлено, що її більшу частину, яка складається з неодноразово використаних апаратних і програмних блоків, можна розміщувати на програмованих логічних інтегральних схемах (ПЛІС), починаючи з перших етапів проектування, з метою прискорення моделювання та зменшення часу процесів верифікації. Модернізовано архітектуру процесу моделювання цифрової системи (ЦС) для забезпечення можливості спільної верифікації програмних блоків, низькорівневих представлень апаратних блоків і моделей апаратних блоків, що розробляються. Обгрунтовано ефективність використання програмної надлишковості опису цифрової системи у вигляді асерцій, що дозволяє автоматизувати функціональну верифікацію, зменшити витрати на тестування завдяки використанню псевдовипадкового тесту, а також збільшити глибину діагностування пристрою. Основні результати теоретико-експериментальних досліджень реалізовано у вигляді програмно-апаратного комплексу Co-Ver функціональної верифікації складних цифрових систем на кристалі. Здійснено його промислове впровадження під час проектування складних процесорних систем на ПЛІС.

  Скачати повний текст

На підставі дослідження сучасного стану проектування мікроактюаторів у вбудованих системах визначено основні напрямки й особливості їх використання у процесі розробки новітніх мікротехнологій. Удосконалено існуючі математичні моделі електростатичних мікрорезонаторів з метою підвищення ефективності процесу проектування та покращання вихідних характеристик вбудованих систем. На підставі розроблених та удосконалених моделей проведено дослідження електричних і механічних властивостей мікрорезонаторів, розраховано та проаналізовано кореляційні зв'язки між їх конструктивними й електричними параметрами. Для кожної представленої моделі мікрорезонатора електростатичного типу створено відповідну VHDL-AMS модель, яка дозволяє одночасно проводити функціональне та поведінкове моделювання. Сформовано бібліотеку моделей, яку успішно інтегровано в уже існуючі системи мультидисциплінарного моделювання, такі як ANSYS, CADENCE, що дозволяє спростити процес проектування вбудованих систем.

  Скачати повний текст

Розвинуто теорію імпульсних систем стабілізації стосовно збільшення їх субгармонійної стійкості та швидкодії з використанням принципів нечіткої логіки й адаптивних регуляторів. Розроблено алгоритм визначення зони модуляції для адаптивного регулятора, а також метод настроювання нечіткого регулятора з використанням фазового портрета системи. Доведено ефективність прямого включення нечіткого регулятора у системі стабілізації постійного струму. Обгрунтовано підвищення діапазону субгармонійної стійкості імпульсної системи стабілізації завдяки використанню коригувального включення нечіткого й адаптивного регуляторів. Розроблено метод визначення параметрів функцій приналежності та таблицю правил нечіткого регулятора для систем стабілізації.

  Скачати повний текст