Вперше вивчено структуру та побудовано фізичну модель дифузії аргону в порошковому вольфрамі під час обробки в низькоенергетичній плазмі жевріючого розряду аргону. Показано, що за опромінення порошкового вольфраму іонами аргону в низькоенергетичній плазмі жевріючого розряду іони аргону не залишаються локалізованими в тонкому приповерхневому шарі, а поширюються на значні відстані в об'єм матеріалу від поверхні, що опромінюється. Методом радіоактивних ізотопів визначено глибини проникнення в моно-, полікристалічний та порошковий вольфрам. Показано, що радіаційні дефекти типу Френкеля збільшують концентрацію вакансій, як у решітці зерен, так і в межі зерен, що призводить до дифузії атомів Sі та Ті в силіцидний шар за вакансійним механізмом. Вперше показано, що низькоенергетична термоіонна обробка, що призводить до утворення радіаційно-стимульованих дефектів, супроводжується дифузією атомів переважно за вакансійним механізмом.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено моделюванню деяких процесів, що відбуваються у приповерхневих шарах напівпровідників при їх взаємодії з атомарним воднем, а саме: дифузії атомарного водню в об'ємі напівпровідника з урахуванням поверхневих та об'ємних реакцій (хемосорбції і рекомбінації), внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для швидкості їх протікання і показано (на прикладі системи водень-германій), що процеси рекомбінації атомів водню у приповерхневих шарах напівпровідників не впливають суттєво на дифузійні процеси в них; утворення точкових дефектів у напівпровідниках під дією енергії поверхневих хімічних реакцій, внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для швидкостей утворення надлишкових вакансій і міжвузловинних атомів (і їх кількісні оцінки для кристалів германію та арсеніду галію); хемостимульованої дифузії (ХСД) у напівпровідниках, внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для коефіцієнтів ХСД (і їх кількісні оцінки для індію, фосфору, алюмінію в арсениді галію та міді, золота у германії), за допомогою яких було визначено переважний механізм ХСД у вищевказаних системах в залежності від виду дифундуючої домішки та умов проведення експерименту. Одержані результати добре узгоджуються з існуючими експериментальними даними і можуть бути використані при подальших дослідженнях явища ХСД як для визначення кількісних характеристик цього процесу, так і для вибору оптимальних умов, за яких найбільш ефективно протікає хемостимульована дифузія.

  Скачати повний текст