Досліджено електронні та фононні теплові хвилі у напівпровідниках у разі поверхневого й об'ємного поглинання модульованого електромагнітного випромінювання. Вивчено теплові хвилі у двошарових структурах. Отримано та проаналізовано температурні розподіли в електронній та фононній підсистемах. Досліджено термоелектричний метод детектування електронної температури, а також вплив теплових параметрів поверхонь та інтерфейсу на поширення теплових хвиль у двошаровій системі. Запропоновано загальний підхід для визначення ефективних тепло- та температуропровідностей у межах фототермічного експерименту.

  Скачати повний текст

З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на підставі порівнянь теоретично одержаних значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними одержано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PbS, PbSe та PbTe n-типу провідності. Проаналізовано вплив механізмів розсіювання, які реалізуються у халькогенідах свинцю на кінетичні коефіцієнти (електропровідність, термо-електрорушійна сила, теплопровідність). Показано можливість оптимізації основних термоелектричних параметрів завдяки впливу на превалюючі механізми розсіювання.

  Скачати повний текст

Вивчено закономірності впливу структури, електричних параметрів, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічний відпал, радіаційне опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та його аналогів. Встановлено, що дрібнодисперсність, збільшення товщини в межах 0,05-0,5 мкм, ізотермічний відпал у вакуумі приводять до зростання термоелектричної добротності тонкоплівкового матеріалу. Термовідпал плівок n-PbTe у атмосфері кисню та їх радіаційне опромінення за рахунок утворення потенціальних бар'єрів на границях зерен при термодифузії і радіаційно-стимульованих процесах обумовлюють аномально високі значення термо-е.р.с.

  Скачати повний текст

Створено комп'ютеризований сумісний фототермоакустичний (ФТА) та фотоелектричний (ФЕ) мікроскоп, принцип дії якого базується на використанні одночасно збуджених теплових хвиль і хвиль нерівноважних електронно-діркових пар як носіїв інформації про властивості напівпровідників. Вивчено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Одержано ФТА та ФЕ топограми. Досліджено пластини кремнію, імплантовані іонами за методами ФТА мікроскопії та виміру зміни коефіцієнта відбиття напівпровідників під дією модульованого лазерного опромінювання. Проведено порівняльний аналіз ФТА та ФЕ зображень вказаних структур на підставі результатів якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають за умов технологічного циклу їх виготовлення.

  Скачати повний текст