Сформульовано загальний підхід щодо проблеми як до спільної кінетики каналювання та хаотичного руху, що описується зв'язаною системою рівнянь Чепмена-Колмогорова. Розроблено нову методику дослідження імплантації йонів у кристали методом комп'ютерного експерименту. Розв'язано задачу про деканалювання йонів низьких енергій й одержано аналітичне рішення для функції деканалювання. Вперше введено режим метаканалювання, що відповідає динамічно стійкому каналюванню йонів зі зниженими щодо рівня аморфної середи питомими втратами енергії. Розроблено феноменологічну модель опису профілів імплантації йонів у кристали.

  Скачати повний текст