Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Автореферати дисертацій - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (26) | Книжкові видання та компакт-диски (15) |
Пошуковий запит: (<.>U=З843.3-06$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
||||
Категорія: Хімічні науки у цілому | ||||
| 1. | Окрепка Г.М. Взаємодія монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe з травильними композиціями HNO3-HBr-розчинник: автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Г.М. Окрепка ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2009. — 20 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.235-27 + З843.3-060.1/8 + Шифр НБУВ: РА367051 Рубрики: | |||
Категорія: Хімічні науки у цілому | ||||
| 2. | Лукіянчук Взаємодія CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs та InAs з водними розчинами H2O2- мінеральна кислота-розчинник: автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / Едуард Михайлович Лукіянчук ; НАН України; Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2007. — 20 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-27 + З843.3-06 Шифр НБУВ: РА353000 Рубрики: | |||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | ||||
| 3. | Стахіра П.Й. Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / П.Й. Стахіра ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 2005. — 30 с. — укp. Розроблено нові фізичні та технологічні підходи до створення приладів мікроелектроніки. Створено фізико-технологічні засади одержання гетероструктур на основі p-InSe-поліфенілацетилену, p-InSe-поліаніліну, а також композита на основі мікродиспергованого InSe у спряженому полімері, досліджено їх електрохімічні та фотоелектричні властивості. Розроблено фізично-технологічні засади створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікацію поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснено на базі розробленої технології формування оксидного шару на цій поверхні з застосуванням лазерного окиснення та методу іонного розпилення у схрещених електричному та магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06 + Шифр НБУВ: РА341229 Рубрики: | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського