![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З844.1-01$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Небеснюк О.Ю. Конструкції та технологія електронних логічних пристроїв на основі НВЧ-мікроелементів з контурним гістерезисом: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.Ю. Небеснюк ; Херсон. держ. техн. ун-т. — Херсон, 2003. — 17 с.: рис. — укp.Виявлено, підтверджено та досліджено явище контурного гістерезису в твердотілих мікроелектронних елементах зі структурою приладів міждоменного електронного переносу (МЕП). Теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено математичну модель електронних процесів у системі взаємопов'язаних надвисокочастотних (НВЧ) мікроелементів, що враховує міждоменний характер переносу заряду, на базі якої розроблено апаратурно-технологічні принципи створення нового класу однокристальних інтегрованих НВЧ-пристроїв. Запропоновано нові схемотехнічні та технологічні рішення з питань створення логічних керуючих систем на мікровакуумних і твердотілих НВЧ-мікроелементах, що моделюють за основними показниками функціонування живої клітини та імітують біопольові інформаційні впливи на організм. Розроблено новий тип мікроелектронних резонансних датчиків широкого призначення у вигляді інтегрованих однокристальних твердотілих НВЧ-мікролементів на основі арсеніду галію, запропоновано технологію їх виготовлення. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-01 + З844.1-01 + Шифр НБУВ: РА323039
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Скачков Розвиток теорії і практики підвищення якості адаптації інформаційних радіотехнічних систем до зовнішніх завад в умовах внутрішньосистемних збурювань: автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.12.17 / Валерій Вікторович Скачков ; Одеська національна академія зв'язку ім. О.С.Попова. — О., 2007. — 36 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-017 Шифр НБУВ: РА352386
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Данчишин І.В. Розробка методів та засобів забезпечення технологічності МОН-структур мікроелектронних пристроїв в умовах автоматизованого виробництва: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / І.В. Данчишин ; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2000. — 17 с. — укp.Розроблено комплексний підхід щодо фізико-технологічного моделювання пристроїв, який грунтується на декомпозиції конструкції на сукупність областей, синтезі на їх основі моделей елементів та пристроїв у цілому. Це дозволяє підвищити ефективність проектування за рахунок використання в якості структурних складових моделювання областей елементів, формалізації взаємозв'язків між ними та спрощення процедури синтезу конструктивної структури мікроелектронних пристроїв (МЕП), внаслідок наведення її відповідно до послідовного, паралельного або послідовно-паралельного з'єднання компонентів структурної схеми. Розроблено методику забезпечення технологічності МОН-структур МЕП шляхом врахування дефектності базових технологічних шарів під час вибору на етапі автоматизованого проектування конструктивно-технологічного варіанта, який гарантує необхідний відсоток виходу придатних. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-01 Шифр НБУВ: РА309404 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|