Виявлено, підтверджено та досліджено явище контурного гістерезису в твердотілих мікроелектронних елементах зі структурою приладів міждоменного електронного переносу (МЕП). Теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено математичну модель електронних процесів у системі взаємопов'язаних надвисокочастотних (НВЧ) мікроелементів, що враховує міждоменний характер переносу заряду, на базі якої розроблено апаратурно-технологічні принципи створення нового класу однокристальних інтегрованих НВЧ-пристроїв. Запропоновано нові схемотехнічні та технологічні рішення з питань створення логічних керуючих систем на мікровакуумних і твердотілих НВЧ-мікроелементах, що моделюють за основними показниками функціонування живої клітини та імітують біопольові інформаційні впливи на організм. Розроблено новий тип мікроелектронних резонансних датчиків широкого призначення у вигляді інтегрованих однокристальних твердотілих НВЧ-мікролементів на основі арсеніду галію, запропоновано технологію їх виготовлення.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено комплексний підхід щодо фізико-технологічного моделювання пристроїв, який грунтується на декомпозиції конструкції на сукупність областей, синтезі на їх основі моделей елементів та пристроїв у цілому. Це дозволяє підвищити ефективність проектування за рахунок використання в якості структурних складових моделювання областей елементів, формалізації взаємозв'язків між ними та спрощення процедури синтезу конструктивної структури мікроелектронних пристроїв (МЕП), внаслідок наведення її відповідно до послідовного, паралельного або послідовно-паралельного з'єднання компонентів структурної схеми. Розроблено методику забезпечення технологічності МОН-структур МЕП шляхом врахування дефектності базових технологічних шарів під час вибору на етапі автоматизованого проектування конструктивно-технологічного варіанта, який гарантує необхідний відсоток виходу придатних.

  Скачати повний текст