Виявлено, підтверджено та досліджено явище контурного гістерезису в твердотілих мікроелектронних елементах зі структурою приладів міждоменного електронного переносу (МЕП). Теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено математичну модель електронних процесів у системі взаємопов'язаних надвисокочастотних (НВЧ) мікроелементів, що враховує міждоменний характер переносу заряду, на базі якої розроблено апаратурно-технологічні принципи створення нового класу однокристальних інтегрованих НВЧ-пристроїв. Запропоновано нові схемотехнічні та технологічні рішення з питань створення логічних керуючих систем на мікровакуумних і твердотілих НВЧ-мікроелементах, що моделюють за основними показниками функціонування живої клітини та імітують біопольові інформаційні впливи на організм. Розроблено новий тип мікроелектронних резонансних датчиків широкого призначення у вигляді інтегрованих однокристальних твердотілих НВЧ-мікролементів на основі арсеніду галію, запропоновано технологію їх виготовлення.

  Скачати повний текст

Розроблено комплексні методики дослідження фізики формування інтенсивних електронних пучків у надвисокочастотних приладах O-типу. Проведено аналіз і вибір методів досліджень, а саме: методу зарядової щільності та методу Еверхарта - для проведення теоретичних досліджень (числових розрахунків), методу перехідного випромінювання - для експериментального дослідження мікроструктури електронних пучків. Розроблено математичну модель аксіально-симетричної електронно-оптичної системи та визначено оптимальні структури електричних полів для різних прискорюючих потенціалів. Проведено траєкторний аналіз руху електронів, установлено ступінь впливу просторового заряду на розмір і положення кросовера пучка залежно від прискорюючої напруги. Проаналізовано процеси струмоосадження на електродах двох різних конструкцій гармат. Побудовано числові алгоритми для аналізу фізичних полів і траєкторій руху електронів у тривимірних фокусуючих системах. Проведено розрахунок і аналіз структури електричного та магнітного полів діодної системи. За результатами траєкторного аналізу й обчислення мікроструктури стрічкового електронного пучка визначено топологію його формування у внутрішньому просторі діодної гармати та показано визначальну роль анодної щілини у процесі формування стрічкового пучка. Запропоновано загальну методику експериментального дослідження мікроструктури інтенсивних електронних пучків за перехідним випромінюванням. Розроблено програму для числового аналізу зображення сліду світіння електронного пучка. На підставі порівняльного аналізу розподілів щільності струму у поперечних перетинах аксіально-симетричного пучка показано кореляцію результатів числового моделювання й експерименту.

  Скачати повний текст