Розроблено конструкції вхідних і вихідних приладів з зарядовим зв'язком (ПЗЗ) з застосуванням біполярних та МДП транзисторів, а також технологію створення таких пристроїв, що дає змогу одержувати покращені характеристики вхідних і вихідних пристроїв - лінійність, динамічний діапазон, навантаженоздатність. Установлено залежності ефективності переносу заряду від конструкції та технології виготовлення ПЗЗ за кріогенних температур. Запропоновано послідовність технологічних операцій та проведено оптимізацію ряду технологічних процесів для досягнення високої ефективності. З метою забезпечення повного тестування всіх елементів пристроїв зчитування розроблено конструкцію спеціальних тестуючих елементів. Подано методику тестування та відбору схем зчитування на рівні кремнійових пластин за кімнатних температур з прогнозуванням їх параметрів для експлуатації за кріогенних температур. Наведено методику розрахунків погіршання роздільної здатності за умов застосування на вхідних пристроях режимів ділення та віднімання (partition, skimming), розроблено конструкції вхідних пристроїв, які забезпечують застосування цих режимів.

  Скачати повний текст