Дослiджено поверхневi характеристики недеформованих i пружно деформованих полi- i монокристалiв Na, Cu, Au, Zn, Al, вкритих шаром дiелектрика, в межах самоузгодженого методу Кона-Шема функцiонала густини та моделi стабiльного желе. Показано, що ефект дiелектричного покриття призводить до "витягання" хвоста просторового розподiлу електронiв та ефективного потенцiалу за поверхню металу та зменшення роботи виходу зi збiльшенням константи дiелектричного покриття. Визначено нагрiв електронної пiдсистеми металевого кластера. З використанням розмiрної залежностi температури Дебая оцiнено залежнiсть ефективної електронної температури вiд зовнiшньої напруги. Запропоновано схему електронного нагрiву, яка дозволяє розрахувати розмiрну залежнiсть температури електронної пiдсистеми гранул. Розроблено метод обчислення уширення енергетичних рiвнiв у гранулах-дисках триелектродної тунельної структури в межах формалiзму - матрицi розсiяння. Розраховано залежнiсть уширення рiвнiв вiд геометричних параметрiв структури. Модифiковано теорiю одноелектронного тунелювання. Модель одноелектронного транзистора враховує уширення енергетичних рiвнiв гранул i нагрiв електронiв. Показано, що основною причиною згладженості квантових і кулонівських сходинок на ВАХ молекулярних транзисторiв за гелієвих температур є уширення енергетичних рівнів.

  Скачати повний текст