Досліджено особливості гетероепітаксії з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb-InAs, що утворює гетероперехід II роду. Проведено теоретичний аналіз процесів, які мають місце під час гетероепітаксії GaSb/InAs, визначено умови, що забезпечують планарність гетеромережі й епітаксійного шару, встановлено основні вимоги щодо методу епітаксії. Побудовано математичну модель і розроблено комп'ютерний алгоритм для процесів тепломасопереносу, що мають місце у разі використання методу імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву. За допомогою моделювання визначено технологічні режими для забезпечення теоретично розрахованих умов росту. Запропоновано нову методику рідкофазної епітаксії на базі використання охолодження тильного боку підкладки потоком газу, що подається ззовні реактора та дозволяє керувати умовами росту на початкових стадіях і протягом усієї епітаксії. Практично реалізовано касету, що містить додатковий тепловий вузол для застосування нової методики. Експериментально одержано планарні гетероепітаксійні структури GaSb/InAs.

  Скачати повний текст