1. |
Бутько В.Г. Електронна щільність і градієнт електричного поля в купратах і рідкісноземельних оксидах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.Г. Бутько ; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. — Донецьк, 2006. — 24 с. — укp.Досліджено можливості застосування модифікованого статистичного методу для розрахунків електронних властивостей металоксидних кристалів. Продемонстровано його ефективність на прикладі розрахунків багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку та великим числом атомів в елементарній комірці. У межах модифікованого статистичного методу одержано прийнятний кількісний опис тензора градієнта електричного поля за умов стиску та у разі зміни стехіометрії системи. Виявлено зміну знака похідної квадрупольної константи за тиском під час переходу від орторомбічної структури до тетрагональної, на підставі якої пояснено істотний вплив нестійкості гратки La-SR оксидів на електричні надтонкі взаємодії. Вивчено можливість зміни валентності рідкісноземельних іонів під впливом надвисокого тиску у разі незмінності кристалічної структури сполук. З урахуванням принципу електронейтральності Полінга проаналізовано припущення про можливість використання динаміки зміни величини середнього заряду іона як міри нестійкості системи. У даному контексті розглянуто структурний фазовий перехід, ініційований високим тиском, у кристалі EuO. Виявлено, що результати розрахунків добре корелюються з експериментальними даними. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314,022 + В377.1,022 + Шифр НБУВ: РА344449
Рубрики:
|