Розроблено мікроскопічну теорію польових ефектів у системах з переходом типу лад -- безлад, де структурні елементи можуть перебувати у декількох станах. Для систем з співіснуванням впорядкувань сегнето- та антисегнетоелектричного типу вздовж різних осей запропоновано мікроскопічні багатостанові моделі з базисним врахуванням локальних кореляцій у формалізмі операторів Хаббарда та розвинено теорію термодинамічних і діелектричних властивостей кристалів DMAAIS-DMGaS, GPI і RS. Наведено опис впливу кристалічного поля типу одноіонної анізотропії (енергетичної нееквівалентності орієнтаційних станів) на послідовність і рід фазових переходів та їх зміну під тиском у сегнетоелектриках DMAAIS-DMAGaS. Показано, що дія поперечного електричного поля на системи зі складною орієнтацією ефективних диполів (кристали GPI та RS) є причиною придушення спонтанної поляризації, стрибків поперечної діелектричної сприйнятливості у точках фазових переходів та зміни їх температур.

  Скачати повний текст

Запропоновано спосіб розв'язання у тригонометричних рядах основних межових задач теорії пружності для суттєво багатошарових плит і основ, навантажених періодичними системами сил. Введено поняття "допоміжні послідовності шару" та "матриці податливості плити (основи)". Розглянуто випадки плоскої та просторової деформації. Досліджено властивості матриць податливості та наведено рекурентні співвідношення для їх обчислення. Одержано інтегральні рівняння періодичних контактних задач для багатошарових плит і основ. З'ясовано характер особливостей ядер цих рівнянь. Запропоновано та реалізовано на ЕОМ наближені способи розв'язання одержаних інтегральних рівнянь. Наведено приклади розрахунків.

  Скачати повний текст