Вивчено вплив просторової неоднорідності електронної підсистеми низько- та високотемпературних надпровідників на результати вимірювань властивостей відповідних зразків. Неоднорідності можуть змінювати характер мікроскопічного руху носіїв струму. Реакція просторово-неоднорідної системи на зовнішній чинник є інтегральним відгуком ансамблю елементарних об'ємів з індивідуальними температурними характеристиками, які пов'язані з локальними значеннями параметра порядку або енергетичної щілини. В обох випадках s-надпровідіники можуть імітувати властивості однорідних і неоднорідних d-надпровідників або надпровідників з комбінованою симетрією спарювання. Поряд з тим просторова неодпорідність електронної підсистеми модифікує прояви інших колективних явищ. Для демонстрації даного факту розроблена самоузгоджена теорія однорідних надпровідників з хвилями зарядової густини (ХЗГ) та частковою діелектризацією поверхні Фермі та побудована теорія їх термодинамічних властивостей. Запропоновано теорію струмів через тунельні контакти, які включають однорідні ХЗГ надпровідники. Розглянуто порушення симетрії в переходах з ХЗГ електродами та розроблено теорію спін-залежного тунелювання в зовнішньому магнітному полі через такі переходи. Моделювання високотемпературних оксидів як просторово-неоднорідних ХЗГ s-надпровідників дозволяє природним чином пояснити структуру горбок-ямка та псевдощілину у відповідних тунельних вольт-амперних характеристиках (ВАХ) як спотворений прояв ХЗГ за різних температурах з високою відтворюваністю температурної поведінки даних особливостей ВАХ в усьому температурному інтервалі та для різних геометрій переходу. Одержані результати свідчать про необхідність залучення інших типів надпровідного спарювання для пояснення ВАХ у всьому діапазоні напруг.

  Скачати повний текст