![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Воробець М. О.$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| | | | |
1. |
Воробець М. О. Фотоелектричні властивості гетероконтактів на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / М. О. Воробець ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. — Чернівці, 2010. — 20 с. — укp.Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4,022 + В379.271.5,022 Шифр НБУВ: РА373723 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|