Досліджено актуальні задачі, пов'язані з впливом радіаційного випромінення, термовідпалів і спрямованої пружної деформації на електрофізичні властивості Si та Ge n-типу. Продемонстровано безпосередній зв'язок особливостей питомого опору, п'єзоопору, коефіцієнта Холла тощо, які спостерігаються у гамма-опромінених n-Si та n-Ge (різного рівня легування та компенсації), з анізотропією розсіяння. Встановлено суттєвий вплив анізотропії розсіяння на формування кінетичних коефіцієнтів, що вимірюються за умов змішаного (фононного + домішкового) чи переважно домішкового розсіяння в слабко збуреному тепловому полі, а також за наявності довільних за величиною (неквантуючих) магнітних полів чи спрямованих пружних деформацій.

  Скачати повний текст