Створено одновимірну електронну систему надрідким гелієм, максимально близьку до одновимірної. Використання нового підходу дозволило одержати зазначену низьковимірну систему високої частоти й однорідності, що вигідно відрізняє її від низьковимірних систем, реалізованих за іншими фізичними принципами. За результатами дослідження рухливості електронів, а також плазмової частоти визначено можливість локалізації носіїв на випадковому потенціалі в квазіодновимірній системі. Вивчення поведінки носіїв у магнітному полі показало, що в області газового розсіювання для реалізованої системи характерним є явище слабкої локалізації. Під час вивчення електронного переносу в магнітному полі в області температур, що відповідають електрон-риплонному розсіюванню, даного ефекту не виявлено. Дослідження кінетичних характеристик, а також електронного транспорту в магнітному полі показали, що реалізована система близька за своїми властивостями до одновимірної.

  Скачати повний текст