1. |
Глухов К.Є. Електронні стани надграток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / К.Є. Глухов ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2007. — 17 с. — укp.Досліджено енергетичні стани електронної підсистеми напівпровідникових надграток. На базі порівняльного дослідження результатів, одержаних за допомогою теоретико-групового підходу та даних першопринципових розрахунків, встановлено можливість застосування концепції мінімальних комплексів зон для визначення основних особливостей просторового розподілу густини валентного заряду у цих матеріалах. Встановлено граничні умови, що накладаються на обвідні функції й їх похідні на гетеропереходах надграток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надгратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають у разі врахування індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдено відповідні граничні умови. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379,022 + Шифр НБУВ: РА350863
Рубрики:
|