У хворих на бронхіальну астму (БА) комплексно досліджено особливості порушень регіональної вентиляції, легеневого кровообігу, стану мікрогемодинаміки у малому колі кровообігу та динаміку відповідних показників під впливом інтервальної гіпокситерапії (ІГТ). Встановлено, що ІГТ сприяє покращанню вентиляційної здатності легень за рахунок раціонального перерозподілу регіональної вентиляції та компенсаторному перерозподілу легеневого кровопотоку від верхніх зон до нижніх. Визначено коригуючий вплив запропонованого методу на показники клітинної та гуморальної ланок імунітету. З метою підвищення ефективності лікування хворих на БА патогенетично обгрунтовано включення методу ІГТ у комплекс медикаментозного лікування. Доведено високу клінічну ефективність даного методу та відсутність побічної дії. Обгрунтовано доцільність застосування гіпокситерапії у комплексному лікуванні хворих на БА, переважно з легким та середньоважким ступенями перебігу захворювання. Вперше вивчено морфофункціональний стан периферійних судин шляхом гістохімічного дослідження біоптатів шкіри та особливості мікроциркуляторних порушень відповідно до ступеня важкості перебігу БА.

  Скачати повний текст

Досліджено квантові ями (КЯ) на основі гетеропари Al(Ga)As/GaAs та системи самовпорядкованих квантових точок InAs у різних матрицях. Проведено вимір вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик за низьких температур (до 30 мК), у сильних магнітних полях (до 10 T), а також виміри фотовідгуку у широкому спектральному діапазоні. Для резонансно-тунельних структур визначено відносний вклад до фотоструму носіїв, прямо інжектованих світлом у КЯ та тих, що тунелюють в КЯ з акумуляційного шару. Установлено комплексний характер фотовідгуку в інфрачервоній області спектра, зумовлений різними механізмами збудження електронно-діркових пар. Побудовано теоретичну модель електрично індукованої надгратки, створеної системою гребінчастих Шоткі-контактів. Результати розрахунків підтверджено експериментально. Запропоновано p-i-n діоди як спектрометри для дослідження енергетичної структури квантових точок (КТ). Досліджено електронні та діркові стани InAs КТ у матрицях GaAs та AlAs. Виявлено, що у структурах з КТ за рахунок ефектів накопичення заряду можуть виникати струмові бістабільності. Показано, що у p-i-n структурі, що містить і КЯ, і КТ, можливе утворення бістабільностей S- та Z-типу.

  Скачати повний текст