1. |
Даньків О.О. Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.О. Даньків ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2007. — 20 с. — укp.Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Шифр НБУВ: РА350109
Рубрики:
|