На підставі проведених комплексних експериментальних досліджень виявлено додаткові механізми впливу атомарного гідрогену на структуру й електрофізичні властивості тонких металевих плівок (Ni, Cu, Ag) і структур на їх основі. З'ясовано, що такими процесами є рекристалізація плівок та їх ущільнення, які обумовлють на плівках з товщиною більше критичної зростання та зрощення зерен, а в кінцевому результаті - збільшення електропровідності. Встановлено закономірності перебігу процесів взаємодії атомарного гідрогену з тонкими плівками та структурами на їх основі. За критерієм впливу на електропровідність тонких плівок виконано розподіл механізмів впливу атомарного гідрогену на домінуючі в окремі проміжки часу. Виявлено, що кінетика процесів, обумовлених дією атомарного гідрогену, залежить від його концентрації, тиску у камері, матеріалу плівки, властивостей вихідної плівки, теплоємності та теплопровідності підкладинки. Встановлено, що під дією процесів, ініційованих атомарним гідрогеном, відбувається зміна тензометричного коефіцієнта плівок, збільшення їх щільності й адгезії до підкладинок. Досліджено вплив технології обробки на властивості кремнієвих підкладинок, що входять до складу структур на основі тонких металевих плівок. Виявлено залежність ефекту впливу атомарного водню на поверхневий потенціал від властивостей поверхні Si, зокрема, орієнтації та товщини оксиду.

  Скачати повний текст