На мікроскопічному рівні проведено послідовний теоретичний аналіз високо- та низькочастотних особливостей коливальних характеристик кристалів, обумовлених комбінованими дефектами. Зокрема, побудовано аналітичну апроксимацію, що з високою точністю описує частоти, інтенсивності, загасання й умови утворення локальних коливань у кристалах з однозв'язною смугою квазісуцільного спектру. На базі цієї апроксимації одержано аналітичні вирази для характеристик локальних коливань комбінованих дефектів, таких як пари, трійки та четвірки домішкових атомів, а також легких домішок, розташованих поблизу гладкої та шорсткуватої поверхні. Розраховано характеристики щілинних (локальних) коливальних рівнів у розчинах PdH (PdD), обумовлених домішками D (H). Проаналізовано процес трансформації дискретних коливальних рівнів, локалізованих на домішкових атомах, у домішкову зону зі зростанням концентрації домішки. Вперше обгрунтовано можливість формування бозонних піків у неупорядкованих твердих розчинах, атоми яких мають тільки трансляційні ступені свободи. Досліджено вплив збуджень, що формують дані піки, на низькотемпературну теплоємність твердих розчинів аргону в криптоні.

  Скачати повний текст