Запропоновано фізичну модель процесів на поверхні та в об'ємі каналу метал - діелектрик - напівпровідник (МДН)-транзистора з урахуванням комплексу різних факторів впливу. На її основі розроблено математичну модель, яка представляє аналітичні залежності активної та реактивної компонент малосигнального імпедансу двозатворного МДН-транзистора від температури у широкому частотному діапазоні для рзних зміщень на затворі. Апробовано комплексний метод експериментальних досліджень реактивних властивостей МДН-структур, який поєднує відомі класичні методи дослідження з радіовимірювальними методами вимірювання комплексних опорів чотириполюсників, що дозволяє усунути фізичну неоднозначність трактування результатів. Запропоновано пристрої з метою вимірювання температури автогенераторного типу, еквівалентні коливні контури в яких реалізовано на двозатворному МДН-транзисторі, що забезпечує високу чутливість та дозволяє вирішити проблему підвищення точності вимірювання температур у 2 - 3 рази. Рекомендовано застосовувати метод Ляпунова для аналізу стійкості розроблених перетворювачів температури, який дозволив отримати функції їх перетворення. Оцінено чутливість розроблених перетворювачів і проаналізовано похибки їх вимірювання.

  Скачати повний текст