Розроблено теоретичні підходи до створення мікроелектронних первинних перетворювачів вологості з частотним виходом у вигляді біполярних та польових транзисторних структур на основі розв'язку рівняння Пуассона, основних положень теорії комплексної змінної, одержано залежність активної та реактивної складових повного опору, функції перетворення та рівняння чутливості від впливу відносної вологості навколишнього середовища та доведено, що ці залежності є суттєвими для створення нового класу мікроелектронних частотних перетворювачів вологості з поліпшеними метрологічними та економічними показниками. Розроблено їх математичні моделі, в яких на відміну від існуючих, враховано вплив відносної вологості навколишнього середовища на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів на основі біполярних і МДН-транзисторних структур з від'ємним опором, що дало змогу одержати рівняння чутливості та функції перетворення відносної вологості у частоту. Запропоновано пакет прикладних програм для моделювання та розрахунків характеристик розроблених мікроелектронних частотних перетворювачів вологості.

  Скачати повний текст