З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на підставі порівнянь теоретично одержаних значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними одержано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PbS, PbSe та PbTe n-типу провідності. Проаналізовано вплив механізмів розсіювання, які реалізуються у халькогенідах свинцю на кінетичні коефіцієнти (електропровідність, термо-електрорушійна сила, теплопровідність). Показано можливість оптимізації основних термоелектричних параметрів завдяки впливу на превалюючі механізми розсіювання.

  Скачати повний текст