Наведено результати експериментальних досліджень спектральних розподілів фотопровідності та фото-ЕРС багатошарових гетероструктур з SiGe наноострівцями. Запропоновано теоретичну модель розрахунку зонної структури гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, яка дозволяє визначити можливі типи оптичних переходів й оцінити їх енергію. Для врахування компонентного складу, деформацій і геометричних розмірів острівців використано аналіз спектральних розподілів комбінаційного розсіяння світла та топограм поверхонь, одержаних за допомогою атомно-силової мікроскопії досліджуваних структур. У спектрах фотопровідності досліджуваних структур з наноострівцями зафіксовано непрямі в просторі переходи електронів з локалізованих станів валентної зони острівців в локалізовані стани зони провідності кремнієвого оточення та переходи між локалізованими станами валентної зони наноострівців і міжпідзонні переходи дірок з локалізованих станів валентної зони острівців у стани валентної зони змочувального шару та кремнієвого оточення. Проаналізовано вплив прикладеного електричного поля та термічного відпалу досліджуваних структур на форму спектрів фотопровідності. Запропоновано використання шарів SiGe острівців, вбудованих у базу p-i-n структури, що дозволяє значно підвищити фоточутливість в області непрямих у просторі міжсезонних переходів.

  Скачати повний текст