Досліджено природу ефекту зсуву смуги фотолюмінесценції (ФЛ) колоїдних квантових точок (КТ) CdSe(Te)/ZnS в високоенергетичну область спектра, який виникає у разі висушування розчину з КТ на Si підкладці. Виявлено два механізми ефекту: напруги стискання та окиснення КТ. Показано, що приєднання до КТ антитіл призводить до зростання напруг стискання та прискорення процесу окиснення КТ, а також до зменшення ступеня пасивації поверхневих дефектів, що проявляється в значному зростанні величини "блакитного" зсуву та збільшенні внеску випромінювання дефектів в спектр ФЛ. Виявлено, що термічний відпал колоїдних КТ CdSe, вміщених у полімерні плівки з желатину або полівінілового спирту, за температур 350 - 480 К призводить до оборотного зростання інтенсивності ФЛ і зсуву смуг ФЛ у низькоенергетичну область спектра. Ефект зсуву пояснюється збільшенням густини поверхневих дефектів, які діють як центри випромінювальної рекомбінації. Показано, що низькотемпературний відпал епітаксійних структур з CdZnSe КТ призводить до зростання інтенсивності ФЛ, що може бути використано для покращання люмінесцентних характеристик структур. Виявлено нижчу термічну стійкість епітаксійних КТ CdZnSe у порівнянні зі змочувальним шаром, що є наслідком латеральної дифузії кадмію.

  Скачати повний текст