1. |
Пляка С.М. Перенос заряду в кристалах силенітів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / С.М. Пляка ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2001. — 18 с.: рис. — укp.Зроблено висновок про можливість застосування моделі легованих компенсованих напівпровідників для пояснення їх електричних, оптичних і фотоелектричних властивостей. Доведено, що за більш високих температур переважає перенос по рівнях протікання, розташованих у хвостах густини станів. Введення домішки призвело до змін ступеня компенсації, спектра поглинання, величини провідності та фотопровідності. У разі генерації носіїв заряду світлом з енергією, меншою за ширину забороненої зони, у всіх досліджених кристалах рухомими були електрони та дірки. Показано, що провідність плівок контролюється глибокими пастками, що мають гауссовий розподіл за енергіями. Встановлено, що перенос заряду на постійному та змінному струменях здійснюється стрибками носіїв заряду по локалізованих станах. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 Шифр НБУВ: РА314131 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|