Вивчено особливості тунельного транспорту електронів через два послідовно розташовані потенціальні бар'єри. Із урахуванням заряду, динамічно нагромадженого в міжбар'єрному просторі, показано, що можлива генерація двох типів автоколивань тунельного струму. Визначено умови переходу системи в хаотичний стан, а також знайдено способи пригнічення хаосу. Проаналізовано вплив дисипативних процесів на властивості тунельної системи. Знайдено функцію Гріна для квантової ями з виродженими енергетичними рівнями з урахуванням кулонівської взаємодії. Установлено, що за низьких температур акумуляція заряду в ямі, як функція прикладної напруги, відбувається східчасто, коли кожна сходинка відповідає додаванню одного електрона. Зазначено, що зростання температури спричиняє згладжування сходинкової залежності.

  Скачати повний текст