Наведено результати досліджень ефекту надвипромінювання Діке у квантових InGaAs/GaAs гетероструктурах і кремнієвих ниткоподібних кристалах. Уперше показано, що незалежність часу надвипромінювання від рівня збудження, що спостерігаються у квантових гетероструктурах, взаємопов'язана з заповненням квантової ями та супроводжується стабілізацією інших характеристик надвипромінювання: форми спектрів та інтенсивності, що суттєво відрізняється від надвипромінювання у газах і об'ємних матеріалах. Установлено, що наявність певної кількості дефектів невідповідності у зазначених гетероструктурах призводить до зменшення інтенсивності, однак надвипромінювання відбувається. З'ясовано, що залежність максимального значення інтенсивності додаткового піка в інфрачервоній люмінесценції та зміна форми від рівня збудження у ниткоподібних кристалах кремнію подібні до тих, що є характерними для надвипромінювання Діке, це дозволяє припустити, що ниткоподібні кристали кремнію можуть бути використані для створення надкоротких імпульсів інфрачервоного світла.

  Скачати повний текст