Отримання нових матеріалів з наперед заданими властивостями, що відповідають вимогам сучасної техніки, залишається актуальним завданням напівпровідникового матеріалознавства. Ускладнення досліджуваних систем і проміжних фаз, які в них утворюються, стало одним із основних напрямків такого пошуку. Серед складних систем важливе місце займають квазіпотрійні халькогенідні системи Tl2Х–CdХ–Si(Ge, Sn)Х2. У багатьох аналогічних системах встановлено існування тетрарних сполук з Аргентумом, Купрумом, Талієм, лужними металами різного мольного cпіввідношення елементів, наприклад 2:1:1:4 (Cu2CdGeSe4, Ag2FeSnS4, Tl2HgSi(Ge)S(Se)2, Li2CdGe(Sn)Se4), 2:1:2:6 (Na2CdGe2S(Se)6) чи 2:1:3:8 (Cu2CdSn3S8, Ag2FeSn3S8, Cs2CdGe3Se8). Такі речовини є анізотропними, мають високу термічну стабільність, володіють оптичними властивостями та можуть використовуватись як складові частини для виготовлення світлодіодів, лазерних та оптичних установок, накопичувачів пам’яті та в інших областях нелінійно-оптичних застосувань. Встановлення взаємозвязку між складами сполук і їх властивостями дозволяє здійснювати цілеспрямований пошук нових матеріалів.Побудова діаграм стану є важливою для правильного вибору методів та умов для одержання матеріалів необхідних фаз. Систематичного дослідження кадмієвмісних систем Tl2Se–CdSe–Si(Ge, Sn)Se2 не проводилося. Тому актуальним є вивчення характеру взаємодії у таких системах, яке дозволить встановити температурні та концентраційні межі існування нових тетрарних проміжних сполук та твердих розчинів на їх основі із подальшим вивченням їх властивостей та прогнозуванням практичного застосування. Таким чином, квазіпотрійні системи Tl2Se–CdSe–Si(Ge, Sn)Se2 та споріднені є перспективним об’єктом досліджень, що дозволить розширити базу даних про нові халькогенідні напівпровідники. Перший розділ дисертації містить дані проведеного аналізу літературних джерел. Тут представлено діаграми стану бінарних халькогенідних систем Tl–X, BII–X, DIV–X, а також квазібінарних Tl2X–BIIX, BIIX–DIVX2 та Tl2X–DIVX2, на основі яких утворені квазіпотрійні системи, що представлені халькогенідами Талію, d-елементів ІІ групи (BII – Zn, Cd) та р-елементів ІV (DIV – Si, Ge, Sn) груп періодичної системи елементів. Наведено інформацію про деякі кристалохімічні, фізико-хімічні параметри бінарних та тернарних сполук, що утворюють відповідні квазіпотрійні системи. Також приводиться інформація про відомі тетрарні халькогеніди у подібних системах з описом деяких властивостей. На основі аналізу літературних джерел приводяться висновки про можливість утворення тернарних, тетрарних сполук та твердих розчинів на їх основі у вищевказаних системах. Другий розділ містить характеристику вихідних речовин, підібраних режимів та методів синтезу, інформацію про установки для одержання та дослідження синтезованих зразків доступними методами фізико-хімічного аналізу.Третій розділ містить дані по дослідженню фазових рівноваг у квазіпотрійних системах Tl2Se–CdSe–Si(Ge, Sn)Se2.У системі Tl2Se–CdSe–SiSe2 вперше встановлено утворення двох нових тетрарних сполук: Tl2CdSiSe4, що кристалізується в тетрагональній ПГ I-42m, та Tl2CdSi3Se8 – в ромбічній ПГ P212121. Також встановлено спосіб утворення тернарної сполуки Tl2Si2Se5. Побудовано ізотермічний переріз даної системи при 570 К та окремі політермічні перерізи. Розчинність на основі компонентів цієї системи є незначна. У системі Tl2Se–CdSe–GeSe2 вперше виявлено утворення двох нових тетрарних сполук Tl2CdGeSe4 (ПГ I-42m) та Tl2CdGe3Se8 (ПГ P212121). Побудовано ізотермічний переріз системи при 570 К та окремі політермічні перерізи. За результатами вивчення фазових рівноваг побудовано проекцію поверхні ліквідусу. Розчинність на основі компонентів цієї системи менша 5мол. %. У четвертому розділі наведено результати дослідження фазових рівноваг у споріднених квазіпотрійних системах. Зокрема, у системі Tl2S–CdS–GeS2 вперше встановлено утворення нових тетрарних халькогенідів Tl2CdGe2S6 (ПГ R3) та Tl2CdGe3S8 (ПГ P212121). Побудовано ізотермічний переріз системи при 570 К. Розчинність на основі Tl2S сягає 10 мол. % CdS, на основі інших компонентів незначна. У п'ятому розділі наведено результати розшифрування кристалічної структури знайдених деcяти тетрарних сполук методами порошку та монокристалу: п'яти складу 2:1:1:4 {Tl2CdSiSe4, Tl2CdGeSe4, Tl2CdSnSe4, Tl2CdSiTe4, Tl2HgSiTe4 (ПГ I-42m)}, двох складу 2:1:2:6 {Tl2CdGe2S6 (ПГ R3) та, Tl2CdSn2S6 (ПГ P63/mmc)} і трьох складу 2:1:3:8 {Tl2CdGe3S8 та Tl2CdSi(Ge)3Se8 (ПГ P212121)}. Наведено дані про розташування атомів сполук в елементарній комірці та їх координаційне оточення.^UProduction of new materials with pre-set properties that meet the requirements of modern technology remains a current challenge of semiconductor materials science. The complication of the investigated systems and the intermediate phases that are formed became one of the main directions of research. Quasi-ternary chalcogenide systems Tl2Х–CdХ–Si(Ge, Sn)Х2 occupy an important place among such complex systems. The existence of quaternary compounds with thallium, alkali metals, and silver (copper) was established in many similar systems, with various molar ratios of elements such as 2:1:1:4 (Cu2CdGeSe4, Ag2FeSnS4, Li2CdGe(Sn)Se4) 2:1:2:6 (Na2CdGe2Se6) and 2:1:3:8 (Cs2CdGe3Se8, Cu2CdSn3S8, Ag2FeSn3S8). Such compounds are often anisotropic, have high thermal stability, valuable optical properties, and can be used as components for the manufacture of LEDs, laser, optical and memory devices and in other fields of nonlinear optical applications. Establishing a relationship between the composition of compounds and their properties allows for a purposeful search for new materials.Section One of the thesis contains data on the analysis of literature sources. Phase diagrams of the binary Tl–X, BII–X, DIV–X, and quasi-binary Tl2X–BIIX, BIIX–DIVX2, and Tl2X¬¬¬–DIVX2 chalcogenide systems are presented, which form the basis of the quasi-ternary systems represented by thallium, d-elements of Group II (BII – Zn, Cd), and p-elements of Group IV (DIV – Si, Ge, Sn) of the Periodic System of elements. Information on some crystal chemical and physico-chemical parameters of binary and ternary compounds that form the corresponding quasi-ternary systems is presented. There is also data on known quaternary chalcogenides in similar systems with a description of some properties. Based on the analysis of literature information, the conclusions about the possibility of the formation of ternary and quaternary compounds and their solid solutions in the above systems are made.Section Two contains the characteristics of the starting substances, selected methods and techniques of synthesis, and information on the equipment for synthesis and investigation of the synthesized samples.Section Three contains results of the study of phase equilibria in the quasi-ternary systems Tl2Se–CdSe–Si(Ge, Sn)Se2.The formation of two new quaternary compounds was established for the first time in the Tl2Se–CdSe–SiSe2 system, Tl2CdSiSe4 which crystalizes in the tetragonal symmetry (SG I-42m) and Tl2CdSi3Se8 which is orthorhombic (SG P212121). The method of formation of the ternary compound Tl2Si2Se5 was also determined. The isothermal section of this system at 570 K and several vertical sections were plotted. Solid solubility ranges of the components of this system is negligible.Section Four presents the results of the study of phase equilibria in related quasi-ternary systems. For instance, the formation of new quaternary chalcogenides Tl2CdGe2S6 (SG R3) and Tl2CdGe3S8 (SG P212121) was established for the first time in the Tl2S–CdS–GeS2 system. Isothermal section of this system at 570 K was plotted. Solid solubility in Tl2S reaches 10 mol.% CdS, and in other components is negligible. The formation of two new quaternary compounds Tl2CdSn2S6 (P63/mmc) and Tl2CdSn3S8 in the Tl2S–CdS–SnS2 system was established for the first time. Isothermal section of the system at 570 K was constructed. Solid solubility based on the components of this system is 2-3 mol. %.A new quaternary compound Tl2ZnGe3Se8 was found in the Tl2Se–ZnSe–GeSe2 system for the first time. Isothermal section of the system at 570 K and two vertical sections were investigated. Solid solubility in CdSe is 10 mol.%, in Tl4GeSe4 and Tl2GeSe3 5 mol. %, and in other components is under 3 mol. %.A new quaternary compound Tl2ZnSnSe4 was found in the Tl2Se–ZnSe–SnSe2 system. Isothermal section of the system at 570 K and two vertical sections were plotted. Solid solubility range of CdSe reaches 10 mol. %, of Tl4GeSe4 is 5 mol. %, and of other components is less than 3 mol. %.The nature of the interaction in the Tl2Te–SiTe2 system was investigated for the first time, and the formation of four new ternary compounds Tl18SiTe11, Tl4SiTe4, Tl2SiTe3, and Tl2Si2Te5 was established. The Tl2SiTe3 compound is a component of the quasi-ternary systems Tl2SiTe3–Cd(Hg)Te where the formation of quaternary compounds Tl2CdSiTe4 and Tl2HgSiTe4 was established for the first time. Each has a homogeneity region of up to 5 mol at 470 K from the side of the ternary compound.Section Five presents the results of the crystal structure determination for the ten found quaternary compounds by X-ray powder and single crystal methods. Five of these are the 2:1:1:4 composition (Tl2CdSiSe4, Tl2CdGeSe4, Tl2CdSnSe4, Tl2CdSiTe4, Tl2HgSiTe4 (SG I-42m)), two of the 2:1:2:6 composition (Tl2CdGe2S6 (SG R3) and Tl2CdSn2S6 (SG P63/mmc)), and three are the 2:1:3:8 composition (Tl2CdGe3S8 and Tl2CdSi(Ge)3Se8 (SG P212121)).