Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Сидорець Р.Г.$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| | | | |
1. |
Сидорець Р.Г. Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Р.Г. Сидорець ; Одес. нац. акад. зв'язку ім. О.С.Попова. — О., 2004. — 20 с. — укp.Розглянуто питання удосконалення характеристик оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі запропонованих науково-технічних рішень, розроблено нові типи інжекційних фотодіодів (ІФД). Удосконалено метод підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації внутрішнього інжекційного підсилення. Розроблено критерії оцінки фотоелектричного інжекційного підсилення в області "домішкового" та "власного" поглинання випромінювання. Одержано аналітичні вирази для розрахунку характеристик на основі неоднорідно-легованих та варизонних напівпровідників. З'ясовано, що використання базових матеріалів з неоднорідною структурою сприяє значному підвищенню фоточутливості ІФД. Досліджено умови та механізми реалізації фотоелектричного інжекційного підсилення у поверхнево-бар'єрних структурах (ПБС) за досягнення досить високого рівня інжекції з контакту метал-напівпровідник. Одержано та досліджено інжекційні фотодіоди на основі Ni-Si:Au-ПБС. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 с116 + Шифр НБУВ: РА331403
Рубрики:
|
|
|