1. |
Сліпухіна І.В. Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / І.В. Сліпухіна ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2007. — 19 с. — укp.Досліджено симетрійні та структурні фактори, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їх відклик на зовнішні збурення - деформації та дефект. У межах концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої гратки встановлено симетрійні аспекти формування зонного спектра кристала CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується у специфічних позиціях Викоффа. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В37,022 + Шифр НБУВ: РА350401
Рубрики:
|