Доведено, що процес електроокиснення водню протікає в зовнішній частині пористого активного шару анодно-мембранному блоці (АМБ). Проаналізовано вплив різних параметрів (температури, вологості водню, структури та товщини активного шару) на режими роботи АМБ. Показано, що зростання внутрішнього опору АМБ пов'язане з оборотними критичними режимами зневоднення та затоплення активного. Доведено, що в АМБ з внутрішнім активним шаром зростання внутрішнього опору пов'язано з зневодненням тонкого шару мембрани зі сторони анода, а в випадку з зовнішнім активним шаром зі зневодненням або затопленням порового простору активного шару. За критичних значеннях густини струму та підвищеній температурі водню виявлені автоколивання потенціалу в гальваностатичному режимі, пов'язані з періодичним скипанням води в затоплених порах активного шару під час підвищення теплової потужності. Модифікацію активного шару провели за рахунок удосконалення способу платинування графітового носія за золь-гель технологією, зниження товщини активного шару до розміру часток носія, заміни 50 % графітового носія на вуглецеві нанотрубки.

  Скачати повний текст