1. |
Солнцев В. С. Електрофізичні властивості багатошарових структур на основі модифікованого пористого кремнію при адсорбції газів: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. С. Солнцев ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2010. — 20 с. — укp.Досліджено, що значні зміни хімічного складу шарів пористого кремнію під впливом термічних обробок спостерігаєгься у зразках, відпалених за Т > 250 °С. Показано, що механізм газової чутливості структур з шаром пористого кремнію за адсорбції водню або сірководню полягає у вбудові додаткового заряду на межу поділу Pd/пористого кремню (ПК). Висвітлено зміни морфології поверхні та хімічного складу шару ПК за електрохімічного осадження міді та показано, що використання таких шарів в газових сенсорах призводить до підвищення чутливості структур до дії сірководню. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В379.226,022 + Г583.25,0 Шифр НБУВ: РА374530 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|