1. |
Тимофєєв В.І. Моделювання субмікронних компонентів інтегральних схем на сполуках $Eroman bold {A sup III B sup V }: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / В.І. Тимофєєв ; Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — К., 2004. — 40 с. — укp.Науково обгрунтовано математичні моделі фізичних процесів і субмікронних ефектів у сучасних транзисторних структурах та інтегральних схемах міліметрового діапазону довжини хвиль, з використанням яких розроблено перспективні гетеробіполярні транзистори з заданими параметрами та характеристиками, а також компоненти та інтегральні пристрої на їх основі та субмікронні транзистори з бар'єром Шотткі та гетероселективним легуванням. Удосконалено технології виготовлення зазначених приладів. Проаналізовано, узагальнено та сформульовано фізичні особливості та ефекти, властиві субмікронним структурам з розмірами, порівняними з довжиною вільного пробігу електронів. Обгрунтовано та створено ієрархічний ряд математичних моделей різного рівня. Визначено функціональні особливості субмікронних приладів та умови застосованості їх моделей до завдань адаптивного проектування. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-03 + Шифр НБУВ: РА334410
Рубрики:
|