Виявлено ефект впливу кристалографічної орієнтації кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію (ПК) у процесі анодизації. Запропоновано модель, що пояснює відмінність залежностей розмірів нанокластерів від умов травлення для зразків ПК з різною кристалографічною орієнтацією вихідної підкладки. Розроблено напів'якісну теоретичну модель фоточутливості гетеропереходу ПК-(c-Si) на основі низькорозмірного ПК. За фотоелектричним методом визначено ширину забороненої зони, дифузійну довжину неосновних носіїв заряду та показано можливість визначення середнього діаметру квантових ниток. Вивчено механізм струмоперенесення та фоточутливість сендвіч-структур Al/ПК - (c-Si)/Al. Зазначено про можливість зміни струмоперенесення з тунельного струму в термореактиваційний. Інверсію знаку фото-ЭРС пояснено варізонністю ПК і наявністю гетеромежі ПК - (c-Si). Установлено явище лавинного множення носіїв заряду в ПК. Досліджено основні характеристики електролюмінесценції, а також вплив рівня інжекції носіїв заряду на її квантовий вихід.

  Скачати повний текст