Проведено дослідження та здійснено практичне використання закономірностей впливу компенсації, яка змінювалась за рахунок стехіометрії або опромінення різними видами радіації, на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних та атомарних напівпровідників і сенсорів на їх основі. На підставі результатів дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe виявлено всі закономірності, передбачені теорією, і показано, що дані кристали можна використовувати як модель аморфного напіпровідника.

  Скачати повний текст