Дисертацію присвячено: встановленню фізичних механізмів оптоелектронних властивостей функціоналізованих кремнієвих епоксидним нанокомпозитом на основі епідіан 5 та гідрофільних і гідрофобних кремнієвих наночастинок; фотоелектричним властивостям плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію; фотоелектричним властивостям поверхонь Si із квантовими точками Ge; терагерцовій провідності надтонких плівок Au на кремнієвих поверхнях, покритих 3 - mercaptopropyl (MPTMS); фотоелектричним властивостям сонохімічно функціоналізованих гетеро-наноструктур Si / Ge; сонохімічній функціоналізації CaSiO3–SiO2–Si; фотоелектричним властивостям гетероструктур Si / ZnO та Si / NiO.Метою роботи є встановлення механізмів функціоналізації та викликаних нею змін оптоелектричних параметрів в кремнієвих гетеро - наноструктурах різного типу, включаючи тонкі й надтонкі шари та вбудовані квантові точки.Актуальність теми. З урахуванням потреб сучасної електроніки, альтернативної енергетики та розвитку фундаментальної теорії поверхневих явищ в напівпровідникових структурах постає питання про більш детальне дослідження складних гетеро - та нано - структур, які були б здатні змінювати свої параметри в залежності від поставлених технічних або експериментальних вимог. Ці потреби може задовільнити створення гетеро - та нано - структур, як первинної ланки, та їх подальша функціоналізація.^UThe dissertation is devoted to: research of physical mechanisms of optoelectronic properties of functionalized silicon epoxy nanocomposite based on epidiane 5 and hydrophilic and hydrophobic silicon nanoparticles; photovoltaic properties of SiGe films covered with layers of amorphous and polycrystalline silicon; photoelectric properties of Si surfaces with Ge quantum dots; terahertzconductivity of ultrathin Au films on 3 - mercaptopropyl (MPTMS) -coated silicon surfaces; photovoltaic properties of sonochemically functionalized heteronanostructures of Si / Ge; sonochemical functionalization of CaSiO3–SiO2–Si; photoelectric properties of heterostructures Si / ZnO and Si / NiO.The purpose of the work is to establish the mechanisms of functionalization and the resulting changes in optoelectric parameters in silicon hetero-nanostructures of various types, including thin and ultrathin layers and embedded quantum dots.Actuality of theme. Taking into account the needs of modern electronics, alternative energy and the development of the fundamental theory of surface phenomena in semiconductor structures, the question arises of a more detailed study of complex hetero- and nano-structures, which would be able to change their parameters depending on the technical or experimental requirements. These needscan be satisfied by the creation of hetero- and nano-structures, as a primary link, and their further functionalization.