2. |
Юхимчук В.О. Оптичні та морфологічні властивості низьковимірних структур на основі кремнію, германію та їх твердих розчинів: автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.О. Юхимчук ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2008. — 29 с. — укp.Визначено механізми й особливості фізичних процесів, які визначають формування германій-кремнієвих наноструктур, досліджено взаємозв'язок морфологічних характеристик з їх структурними й оптичними властивостями. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних та оптичних властивостей самоіндукованих наноострівців, сформованих у процесі молекулярно-променевої епітаксії, за умов варіювання різних технологічних параметрів. Встановлено, що у процесі самоіндукованого формування GeSi наноострівців на Si підкладках важливу роль відіграє інтердифузія, обумовлена неоднорідними напруженнями в самих острівцях і в областях підкладки, що їх оточують. Виявлено, що значне компонентне перемішування в острівцях впливає на величину механічних напружень, їх розміри та визначає критичний об'єм, за якого відбуваються переходи з пірамідальної форми росту до куполоподібної. Встановлено, що на остаточні властивості наноструктур з GeSi острівцями впливають параметри буферних шарів, на які епітаксіально осаджується германій, а також процеси покриття острівців кремієвим шаром, оскільки їх форма, компонентний склад і ступінь реалізації залежать від температури зарощування та товщини покривного шару. Продемонстровано можливість використання багатошарових структур з GeSi острівцями як детекторів випромінювання для ближньої інфрачервоної області. Показано, що для планарних SiGe шарів, сформованих на Si підкладках, легування вуглеців з рівномірним і нерівномірним профілем його розподілу дозволяє контролювати та впливати на процеси релаксації напружень у структурах. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + Шифр НБУВ: РА360010
Рубрики:
|