1. |
Яструбчак О.Б. Плазмовий резонанс в багатошарових дифракційних гратках на основі монокристалів GaAs та InP: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.Б. Яструбчак ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 17 с.: рис. — укp.Комплексно досліджено оптичні, морфологічні і фотоелектричні властивості батошарових твердотільних систем, створених на основі дифракційних граток на поверхні монокристалів GaAs та InP, для всебічного аналізу та оптимізації умов збудження та поширення у них поверхневих плазмових поляритонів. Аналіз резонансних властивостей виготовлених багатошарових структур здійснювався із залученням комплексного методу досліджень, який включає спектральну та багатокутову еліпсометрію, спектроскопію відбивання та пропускання світла, АСМ, вимірювання спектральних та кутових характеристик фотоструму короткого замикання бар'єрів Шотткі разом з фізично обгрунтованими теоретичними методами параметризації досліджуваних структур. Вимірювання багатошарових дифракційних граток за умов збудження плазмового резонансу дозволили виявити острівцеву структуру тонкоплівкових металевих покриттів та визначити їх ефективні параметри n та k. Проведені дослідження довели, що мікрошорсткість поверхні дифракційних граток, на які напилюються тонкоплівкові гетероструктури, має вирішальний вплив на послаблення плазмового резонатора. На основі виготовлених багатошарових дифракційних граток з оптимізованими параметрами резонансного екстремуму розроблено чутливі до довжини хвилі, кута падіння та поляризації світла фотодетектори та сенсори хімічних речовин з покращеними параметрами. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В379.226,022 Шифр НБУВ: РА314043 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|