Досліджено процеси розсіяння світла нанорозмірними об'єктами та структурами на поверхні напівпровідникових кристалів і діелектричних плівок, значно меншими за довжину хвилі оптичного випромінення. Установлено, що розсіяння поверхневих хвиль наночастинками характеризується просторовим розподілом інтенсивності розсіяного світла. Розроблено метод порівняння результатів розсіяння поврехневих й однорідних хвиль, якого застосовано для металевих наночастинок і одновимірних дефектів поверхні. Установлено, що за умов розсіяння світла наномембранами відбувається колгерентна інтерференція від джерел розсіяння, розподілених за товщиною плівки. Експериментально продемонстровано субатомну чутливість розсіяння світла до рельєфу поверхні. Запропоновано метод дискримінації розсіяння світла рельєфом поверхні та нетопографічними дефектами на ній. Доведено значний внесок нетопографічного розсіяння у процеси розсіяння світла поверхнею пластин кремнію й арсеніду галію. Показано, що кутова залежність інтегральної інтенсивності розсіяння поверхневих хвиль є індикатором плазмон-поляритонного резонансу у значно ширшому інтервалі зміни оптичних параметрів прилеглого середовища, ніж це забезпечує традиційно використовуваний мінімум коефіцієнта дзеркального відбиття. Розроблено експериментальні методики послідовного та паралельного вимірювання у межах півсфери просторового розподілу розсіяного світла.

  Скачати повний текст