Для аргументованих моделей точкових дефектів у кристалах PbX (X = S, Se, Te) та SnTe на базі закону діючих мас і квазіхімічних реакцій одержано загальні аналітичні вирази для баричних і температурних залежностей концентрації точкових дефектів і носіїв струму та реалізації термодинамічного p - n-переходу за двотемпературного відпалу у парах халькогену. Розраховано нові й уточнено відомі константи рівноваги й ентальпії утворення точкових дефектів. Визначено домінуючі точкові дефекти у легованих кристалах PbTe, PdSe елементами V групи Періодичної системи, взаємопов'язані з заповненням катіонних або аніонних вакансій основної матриці. З використанням квазіхімічних рівнянь, кристалоквазіхічних формул і повного рівняння електронейтральності знайдено вирази для розрахунків залежностей концентрацій дефектів, вільних носіїв і холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легувальної домішки. Зроблено аналіз різних кристалохімічних механізмів утворення твердих розчинів у системах

  Скачати повний текст