Пошуковий запит: (<.>U=В379.2,022$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 241
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | РА383728 Покладок Н. Т. 3d-інтеркаляційна модифікація шаруватих кристалів для пристроїв спінтроніки та молекулярної енергетики [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Покладок Надія Теофілівна ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2011. - 20 с. : рис.
|
| 2. | ДС127191 Покладок Н. Т. 3d-інтеркаляційна модифікація шаруватих кристалів для пристроїв спінтроніки та молекулярної енергетики [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Покладок Надія Теофілівна ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2011. - 169 арк. : рис.
|
| 3. | ІВ215595 Lim B. Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation [Текст] : diss. / Bianca Lim ; Fak. für Mathematik und Physik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover : [s. n.], 2012. - 121 p. : fig.
|
| 4. | ІС13288 Mohammed B. Einkristall-Präparation und Charakterisierung von dotiertem La2MO4 mit M = Co, Mn und Ni [Текст] : Diss. / B. Mohammed ; Universität zu Köln. Die Mathematisch-Naturwisenschaftliche Fakultät. - Köln : [б.в.], 2007. - VI, 150 S.: Abb.
|
| 5. | ІВ220031 Speck F. Epitaktisches Graphen auf SiC(0001) für elektronische Anwendungen: Aspekte der Materialsynthese, -integration und -manipulation [Текст] : Diss. / Florian Speck ; Naturwissenschaftlichen Fak. der Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg. - Erlangen-Nürnberg, 2014. - II, 201 S. : Abb.
|
| 6. | ІВ223746 Grimm A. Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter [Текст] : Diss. / Andreas Grimm ; Fak. für Elektrotechnik und Informatik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover, 2016. - IX, 174 S. : Abb.
|
| 7. | ІР9932 Jabbarov A. I. Hopping mechanisms of phase transitions and charge transport of ABX2 (where A=Cu, Tl; B=Fe, Cr, Co,Ni, Ga, In; X=S, Se, Te) type low-dimensional semiconductors [Текст] : abstr. of the diss. ... Dr of Science : 2222.01 / Aydin Ismayil Jabbarov ; [Azerbaijan Nat. Acad. of Sciences, Inst. of Physics, Lab. "Resonance Phenomena in Solids"]. - Baku, 2022. - 51 p. : fig.
|
| 8. | ІВ228376 Goscinski von U. Investigation of tunable trap states-novel toolset basing on magnetic field response in organic semiconductor devices [Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät] : diss. / Ulli Goscinski von ; Universität zu Köln, Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät. - Köln, 2020. - VIII, 128 p. : fig., tab.
|
| 9. | ІС12763 Petraru A. I. Optical and electro-optical properties of BaTiO3 thin films and Mach-Zehnder waveguide modulators [Текст] : Diss. / A. I. Petraru ; Universität zu Köln. Mathem.-Naturwiss. Fak. - Jülich : [б.в.], 2003. - 87 p.: fig.
|
| 10. | ІВ209622 Chowdhury F. A. Resistive memory switching in layered titanates and niobates [Текст] : Diss. / F. A. Chowdhury ; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Die Naturwissenschaftliche Fakultäten. - [Erlangen ; Nürnberg] : [б.в.], 2007. - 101 p.: fig., tab.
|
| 11. | ІВ219062 Enzelberger-Heim M. Structure and properties of reduced graphene oxide [Текст] : diss. / Michael Enzelberger-Heim ; Naturwissenschaftlichen Fak. der Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg. - Erlangen-Nürnberg : [s. n.], 2013. - IV, 84, XCV : fig.
|
| 12. | ІС14767 Brumme T. Structure function relationship in molecular scale junctions [Текст] : diss. / Thomas Brumme ; Techn. Univ. Dresden, Fac. of science. - Dresden, 2013. - X, 131 p. : fig.
|
| 13. | -107503 Mammadova G. N. Structures, electronic and optical... [Текст] / Mammadova. - Baku, 2023.
|
| 14. | ІВ224018 Paschek J. Structuring organic semiconductors: spectroscopic studies & applications [Текст] : diss. / Johanna Paschek ; Mathematisch-Naturwissenschaften Fak. der Univ. zu Köln. - Köln, 2017. - 163 p. : fig.
|
| 15. | ІВ218534 Liaptsis G. Synthesis of crosslinkable organic semiconductors and application in solution processed OLEDs [Текст] : diss. / Georgios Liaptsis ; Math.-Naturwissenschaftliche Fak. der Univ. zu Köln. - Köln : Die Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fak. der Univ. zu Köln, 2013. - IV, 149 p. : fig. - (PhD Thesis 2013)
|
| 16. | -039591 Khalilova K. H. The effect of point defects... [Текст] / Khalilova. - Baku, 2024.
|
| 17. | ІВ218137 Boldt K. Untersuchungen an Halbleitenden Nanoheterostrukturen [Текст] : Diss. / Klaus Boldt ; Fachbereich Chemie der Univ. Hamburg. - Marburg : Verl. Görich & Weiershäuser, 2011. - XII, 135 S. : Abb., Tab. - (Wissenschaft in Dissertationen ; Bd. 888)
|
| 18. | ІВ193266 Häusler K. T. Verspannungsrelaxation gitterfehlangepaßter III-V-Verbindungshalbleiter auf GaAs-Substrat [Текст] : Diss. / K. T. Häusler ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 149 S.:Abb.
|
| 19. | ІС14805 Fritze S. Wachstumsoptimierung und Charakterisierung von MOVPE-basierten GaN Pufferstrukturen auf Si (111) Substraten [Текст] : Diss. / Stephanie Fritze ; Fak. für Naturwissenschaften der Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg. - Magdeburg, 2014. - XII, 161 S. : Abb.
|
| 20. | ДС84774 Гомоннай О. В. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках [Текст] : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Гомоннай Олександр Васильович ; Інститут електронної фізики НАН України. - Ужгород, 2003. - 343 арк.: рис.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
