Пошуковий запит: (<.>U=В379.251.4$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 62
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ІВ229114 Jostes D. Entwicklung einer kontinuierlichen Syntheseroute zur Darstellung von In(Zn)P- und In(Zn)P/ZnSe-Nanokristallen sowie die Darstellung darauf basierender Kern/Schale/Schale-Systeme [Текст] : Diss. zur Erlangung des Doktorgrades / Daniel Jostes aus Hamburg ; Univ. Hamburg, Fak. für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften, Fachbereich Chemie. - Hamburg, 2019. - [VI], 125 S. : Abb., Tab.
|
| 2. | ІВ193267 Ruhnau U. Epitaktisches Wachstum von ß-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung [Текст] : Diss. / U. Ruhnau ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 101 S.: Bild.
|
| 3. | MFI3456/1-2 Sutter P. W. Magnetron sputter epitaxy of Si-Ge heterostructures [Текст] : Diss. / P. W. Sutter ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 107 p.: fig. - (Diss ETH ; 11923)
|
| 4. | ІВ197322 Zundel M. K. MBE- Wachstum selbstorganisierender InP Quantenpunkte für rot-emittierende LASER [Текст] : Diss. / M. K. Zundel ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1999. - 122 S.: Abb.
|
| 5. | ІС11507 Knobloch P. Solvability and finite element discretization of a mathematical model related to Czochralski crystal growth [Текст] : Diss. / P. Knobloch ; Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg. Fak. für Mayhematik. - Magdeburg : [б.в.], 1996. - 178 p.:fig. - (Preprint MBI-96-5)
|
| 6. | РА428281 Д'яченко Л. І. Інформаційна технологія обробки експериментальних даних у виробництві та дослідженні напівпровідникових кристалів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 / Д'яченко Лілія Іванівна ; Нац. аерокосм. ун-т ім. М. Є. Жуковського "Харків. авіац. ін-т". - Харків, 2017. - 20 с. : рис., табл.
|
| 7. | ДС151398 Д'яченко Л. І. Інформаційна технологія обробки експериментальних даних у виробництві та дослідженні напівпровідникових кристалів [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.13.06 / Д'яченко Лілія Іванівна ; Чернівец. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2016. - 155, [4] арк. : рис., табл.
|
| 8. | РА418356 Андросюк М. С. Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Андросюк Максим Степанович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2015. - 24 с. : рис., табл.
|
| 9. | РА379468 Горбенко В. І. Вирощування та люмінесцентні властивості монокристалічних плівок гранатів (A=Y, Lu, Tb) [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Горбенко Віталій Іванович ; Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. - Л., 2011. - 21 с. : рис., табл.
|
| 10. | ДС149163 Горбенко В. І. Вирощування та люмінесцентні властивості монокристалічних плівок гранатів A3Al5O12 (A=Y, Lu, Tb) [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Горбенко Віталій Іванович ; Львів. нац. ун-т ім. Івана Франка. - Львів, 2010. - 186 арк. : рис., табл.
|
| 11. | РА370885 Попович В. Д. Вплив легування хлором на фізичні властивості монокристалів телуриду кадмію, вирощених методом сублімації [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Попович Володимир Дмитрович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2010. - 20 с. : рис., табл.
|
| 12. | ДС115119 Попович В. Д. Вплив легування хлором на фізичні властивості монокристалів телуриду кадмію, вирощених методом сублімації [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Попович Володимир Дмитрович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Дрогоб. держ. пед. ун-т ім. І. Франка. - К., 2010. - 190 арк. : рис.
|
| 13. | РА307200 Курак В. В. Гетероструктури AlxGa1-xAs-GaAs для ФЕП слабоконцентрованого сонячного випромінювання [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Курак Владислав Володимирович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1999. - 19 с.: іл.
|
| 14. | ДС66559 Курак В. В. Гетероструктуры AlxGa1-xAs-GaAs для ФЭП слабоконцентрированного солнечного излучения [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Курак Владислав Владимирович ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 1999. - 123 л.
|
| 15. | РА384796 Якушев М. В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Якушев Максим Витальевич. - Новосибирск, 2011. - 40 с. : рис.
|
| 16. | ВА735405 Сичікова Я. О. Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію [Текст] : монографія / Я. О. Сичікова, В. В. Кідалов, Г. О. Сукач. - Донецьк : Юго-Восток, 2011. - 218 с. : рис.
|
| 17. | РА409074 Шпотюк Я. О. Ефекти метастабільності у фізичних властивостях халькогенідних склуватих напівпровідників [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Шпотюк Ярослав Олегович ; Львів. нац. ун-т ім. Івана Франка. - Львів, 2014. - 20 с. : рис.
|
| 18. | ДС47808 Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te [Текст] : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10 / Андрухив Андрей Михайлович ; РАН, Физико- технический ин-т им. А.Ф.Иоффе. - СПб., 1992. - 122 л.
|
| 19. | РА430454 Коваленко Т. В. Закономірності кристалізації напівпровідникових монокристалів алмазу в ростових системах з магнієм [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / Коваленко Тетяна Вікторівна ; НАН України, Ін-т надтверд. матеріалів ім. В. М. Бакуля. - Київ, 2017. - 20 с. : рис., табл.
|
| 20. | РА405735 Чепугов О. П. Закономірності формування дефектно-домішкового складу напівпровідникових кристалів алмазу для зондів тунельних мікроскопів [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / Чепугов Олексій Павлович ; Нац. акад. наук України, Ін-т надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля. - К., 2014. - 20 с. : рис.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
