Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 113
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | РА289572 Яджак М. С. Розробка і аналіз паралельних та систолічних алгоритмів для розв'язання задач переносу зарядів в напівпровідниках [Текст] : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.05.02 / Яджак Михайло Степанович ; Львівський ун-т ім. І.Я.Франка. - Львів, 1995. - 18 с.
|
| 2. | Р78271 Яблонский Г. П. Анизотропия нелинейной поляризации в сильных электрических полях и кристаллографическая ориентация разрядов [Текст] / Г. П. Яблонский, Е. В. Луценко. - Минск : [б.в.], 1994. - 24 с. - (Препр. / Институт физики им. Б.И.Степанова АН Беларуси ; n693)
|
| 3. | РА404080 Эминова В. И. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства халькогенидов серебра [Текст] : автореф. дис. ... д-ра философии по физике : 22.20.01 / Вюсаля Иршад кызы Эминова ; Нац. акад. наук Азербайджана, Ин-т физики им. Г. М. Абдуллаева. - Баку, 2013. - 21 с. : рис., табл.
|
| 4. | РА294115 Шкумбатюк П. С. Структурні перетворення в напівпровідниках типу А2В6 під дією СО2-лазерного випромінювання та їх використання для створення бар'єрних структур [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Шкумбатюк Петро Степанович ; Державний ун-т "Львівська політехніка". - Львів, 1996. - 21 с.
|
| 5. | ДС52198 Шкумбатюк П. С. Структурні перетворення в напівпровідниках типу А2В6 під дією СО2-лазерного випромінювання та їх використання для створення бар'єрних структур [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Шкумбатюк Петро Степанович ; Державний ун-т "Львівська політехніка", Дрогобицький держ. педагогічний ін-т ім. І.Франка. - Львів, 1996. - 159 л.
|
| 6. | РА415214 Шевчик В. В. Вплив впровадження кобальту і водню на властивості шаруватих кристалів InSe та GaSe [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Шевчик Віталій Васильович ; Чернів. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2015. - 20 с. : рис.
|
| 7. | В359073/2 Чебаненко А. П. Фізика напівпровідників. Ч. 2:Рекомбінація носіїв заряду [Текст] / А. П. Чебаненко, Ю. М. Каракіс. - 2020. - 67 с. : рис.
|
| 8. | ДС149801 Хмеленко О. В. Влияние дислокаций на структуру и свойства кристаллов сульфида и селенида цинка [Текст] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Хмеленко Олег Валериевич ; Днепропетр. нац. ун-т им. Олеся Гончара. - Днепропетровск, 2011. - 153 л. : рис., табл.
|
| 9. | РА390520 Хмеленко О. В. Вплив дислокацій на структуру та властивості кристалів сульфіду та селеніду цинку [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Хмеленко Олег Валерійович ; Дніпропетр. нац. ун-т ім. Олеся Гончара. - Д., 2011. - 19 с. : рис.
|
| 10. | РА385171 Хачатурова Т. О. Вплив електронної структури бар'єру на транспортні характеристики тунельних контактів з металевими електродами [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Хачатурова Тетяна Олександрівна ; НАН України, Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О. О. Галкіна. - Донецьк, 2011. - 24 с. : рис.
|
| 11. | ДС126708 Хачатурова Т. А. Влияние электронной структуры барьера на транспортные характеристики туннельных контактов с металлическими электродами [Текст] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Хачатурова Татьяна Александровна ; Нац. акад. наук Украины, Донец. физ.-техн. ин-т им. А. А. Галкина. - Донецк, 2011. - 146 л. : рис.
|
| 12. | ДС60535 Федосов С. А. Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію [Текст] : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Федосов Сергеій Анатолійович ; Волинський держ. ун-т ім. Лесі Українки. - Луцьк, 1999. - 148 л.: рис.
|
| 13. | РА304891 Федосов С. А. Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Федосов Сергій Анатолійович ; Волинський держ. ун-т ім. Лесі Українки. - Луцьк, 1999. - 19 с.
|
| 14. | РА306824 Тулупенко В. М. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (ламбда = 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (ламбда = 50...200 мкм) областей спектру [Текст] : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Тулупенко Віктор Миколайович ; Київський ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 1999. - 35 с.
|
| 15. | ДС64886 Тулупенко В. М. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (ламбда = 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (ламбда = 50...200 мкм) областей спектру [Текст] : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Тулупенко Віктор Миколайович ; Київський ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 1999. - 289 л.
|
| 16. | ВА614016 Третяк О. В. Спін електрона та електронно-діркова рекомбінація в напівпровідниках [Текст] / О. В. Третяк [та ін] ; Київський національний ун-т ім. Тараса Шевченка. - К. : Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2001. - 175 с.
|
| 17. | РА294809сл Торчинская Т. В. Процессы преобразования дефектов в фотоэлектрических и светоизлучающих структурах [Текст] : Автореф. дис... д-ра физ.- мат. наук: 01.04.10 / Торчинская Татьяна Викторовна ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1990. - 30 с.
|
| 18. | ДС47530 Ткаченко М. М. Флуктуаційні процеси на межах поділу зерен та в полікристалах кремнію [Текст] : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ткаченко Микола Миколайович ; Запорізький індустріальний ін-т. - Запоріжжя, 1994. - 344 л.
|
| 19. | ВА594806 Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p-n- переходах [Текст] : Навч. посіб. / уклад. Я. І. Радевич, В. М. Фрасуняк ; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 84 с.
|
| 20. | РА322694 Стриганюк Г. Б. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Стриганюк Григорій Богданович ; Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. - Львів, 2003. - 20 с.: рис.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
