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Загальна кількість знайдених документів : 454
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| 1. | -106844 Abdullayeva A. A. Epitaxial films of Cd 1-xFexTe... [Текст] / Abdullayeva. - Baku, 2023.
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| 2. | ІР7405 Anokhin I. E. Coordinate determination of high energy charged particles by silicon strip detectors [Текст] / I. E. Anokhin, O. S. Zinets. - Kyiv : [б.в.], 2002. - 12 p.: fig. - (Prepr. / National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research ; 02-2)
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| 3. | ІВ193484 Freistedt H. Transmissionsspektrometrische Untersuchungen an halbleitenden amorphen Dünnschichten und Dünnschichtsystemen [Текст] : Diss. / H. Freistedt ; Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg. Die Fak. für Naturwissenschaften. - Möckern : [б.в.], 1996. - 114 S.: Fig.
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| 4. | MFI5732/1-2 Geiser P. Growth and characterization of ternary group-III nit [Текст] : Diss. / P. Geiser ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2005. - 129 p. - (ETH-Diss ; 16126)
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| 5. | ІВ228376 Goscinski von U. Investigation of tunable trap states-novel toolset basing on magnetic field response in organic semiconductor devices [Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät] : diss. / Ulli Goscinski von ; Universität zu Köln, Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät. - Köln, 2020. - VIII, 128 p. : fig., tab.
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| 6. | ІВ224947 John A. G. Towards printing organic elrctronics [Текст] : diss. / Arno Georg ; Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln. - Köln, 2018. - XII, 161 p. : fig.
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| 7. | ІВ223282 Joppich A. New Methods for p-type doping of organic semiconductors - towards the implementation of crosslinkable hole transport materials into state-of-the-art microdisplays [Текст] : diss. / André Joppich ; Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln. - Köln, 2016. - IV, 178 p. : fig.
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| 8. | ІС14487 Kidszun M. Herstellung und Charakterisierung oxidischer Eisen-Pniktid-Supraleiter [Текст] : Diss. / Martin Kidszun ; Fak. Mathematik und Naturwissenschaften der Technischen Univ. Dresden. - Dresden : [s. n.], 2012. - IV, 114 S. : Abb.
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| 9. | ІВ215383 Kissinger D. High-linearity circuits and integrated test concepts for 77 -GHz radar receiver front-ends in silicon-Germanian technology [Текст] : diss. / Dietmar Kissinger ; Techn. Fak. der Univ. Erlangen-Nürnberg. - Erlangen-Nürnberg : [s. n.], 2011. - 111 p. : fig.
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| 10. | Ра315838 Konopko L. Proprietăţile electrofizice la temperaturi joase ale microfirelor din bismut şi ale materialelor supraconductoare metalooxidice cu compoziţie de bismut [Текст] : Autoref. tezei de doctor în ştiinţe fizico-matematice: 01.04.07 / L. Konopko ; Academia de ştiinţe a Republicii Moldova. Institutul de fizică aplicată. - Chişinău : [б.в.], 2001. - 20 c.
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| 11. | ІВ215595 Lim B. Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation [Текст] : diss. / Bianca Lim ; Fak. für Mathematik und Physik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover : [s. n.], 2012. - 121 p. : fig.
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| 12. | ІВ225857 Mehringer C. Aerosol synthesis and characterization of semiconducting nanoparticles from the elements Si and Ge for the application in printable electronics [Текст] : diss. / Christian Mehringer ; Technischen Fak. der Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg. - Nürnberg, 2018. - 180 p. : fig.
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| 13. | ІВ203073 Paszkiewicz R. Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Текст] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys.
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| 14. | ІВ215391 Poller B. Untersuchungen zur Darstellung von Transparent Conducting Oxides [Текст] : Diss. / Benjamin Poller ; Naturwiss. Fak der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover : [s. n.], 2011. - 261 S. : Abb., Tab.
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| 15. | ІВ193267 Ruhnau U. Epitaktisches Wachstum von ß-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung [Текст] : Diss. / U. Ruhnau ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 101 S.: Bild.
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| 16. | ІС14568 Shuai Y. Nonvolatile resistive switching in BiFeO3 thin films [Текст] : diss. / Yao Shuai ; Fak. für Mathematik und Naturwissenschaften, Techn. Univ. Dresden, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. - Dresden : [s. n.], 2012. - VII, 86 p. : fig., tab.
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| 17. | MFI5572/1-2 Thybaut C. Electromechanical behaviour of CGG-type compounds at non ambient temperatures [Текст] : Diss. / C. Thybaut ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2004. - 94 p. - (ETH-Diss ; 15828)
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| 18. | ІВ215119 Tomashik V. Ternary alloys based on II-VI semiconductor compounds [Текст] / Vasyl Tomashik, Petro Feychuk, Larysa Shcherbak. - Chernivtsi : Books - XXI, 2010. - 440 p. : fig., tab.
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| 19. | ІВ223996 Tomashyk V. Multinary alloys based on II-VI semiconductors [Текст] / Vasyl Tomashyk. - Boca Raton ; London ; New York : CRC press, 2016. - XXI, 670 p. : fig.
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| 20. | ІВ219104 Tran V. -H. Entwicklung einer Miniplant-Anlage für die Verschalung von CdSe basierten II-VI halbleitenden Nanopartikeln im Fließ-System [Текст] : Diss. / Van-Huong Tran ; Fachbereich Chemie der Univ. Hamburg. - München : [s. n.], 2012. - V, 138 S. : Abb.
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