Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ІВ203073 Paszkiewicz R. Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Текст] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys.
|
| 2. | РА382237 Батареєв В. В. Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощуваних по методу Чохральс[ь]кого з рідинною герметизацією [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареєв Віктор Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. - Кременчук, 2011. - 20 с.
|
| 3. | ДС127678 Батареев В. В. Повышение структурного совершенства монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, выращиваемых по методу Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареев Виктор Владимирович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2010. - 136 л. : рис.
|
| 4. | РА310225 Даниленко С. Г. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ- техніки [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 15 с.
|
| 5. | ДС66866 Даниленко С. Г. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 198 арк.
|
| 6. | РА296884 Дмитрієва Л. Б. Дослідження поверхнево- контактних явищ та перехідних процесів у мікроелектронних композиціях на основі GaAs [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитрієва Любов Борисівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 21 с.
|
| 7. | ДС55016 Дмитриева Л. Б. Исследование поверхностно- контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе арсенида галлия [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитриева Л. Б. ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 99 с.
|
| 8. | РА340947 Доросинец В. А. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.
|
| 9. | РА343400 Драпак С. І. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Драпак Степан Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.
|
| 10. | РА342132 Журавлев К. С. Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе [Текст] : Автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Журавлев Константин Сергеевич. - Новосибирск, 2006. - 35 с.
|
| 11. | ДС122609 Ластівка Г. І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства [ім. І. М. Францевича]. - Чернівці, 2010. - 156 арк. : рис.
|
| 12. | РА374896 Ластівка Г. І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2010. - 20 с.
|
| 13. | ДС152191 Лозінський В. Б. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл.
|
| 14. | РА396148 Лозінський В. Б. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.
|
| 15. | ДС106514 Мазницкая О. В. Усовершенствование технологии получения металлического мышьяка с пониженным содержанием кислорода для производства монокристаллов GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницкая Оксана Викторовна ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2008. - 137 л.: рис., табл.
|
| 16. | РА356046 Мазницька О. В. Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницька Оксана Вікторівна ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2008. - 20 с.
|
| 17. | РА421863 Притчин С. Е. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.
|
| 18. | РА313246 Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.
|
| 19. | ДС69492 Селиверстова С. Р. Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис.
|
| 20. | ВА735056 Сычикова Я. А. Формирование пористой структуры фосфида индия с заданными свойствами [Текст] : монография / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач. - Донецк : Юго-Восток, 2010. - 230 с. : рис.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
